在各个制造步骤之间，需要采用去胶和清洗工艺，清除后期可能导致缺陷的无用材料，使硅片表面做好后续加工准备。光刻胶去胶工艺在离子植入或刻蚀之后，清除光刻薄膜和残余物。为了清除颗粒、污染物、残余物和其他无用材料，必须在整个制造过程中插入硅片清洗步骤。湿法加工技术可用于硅片清洗、去胶和刻蚀应用。等离子斜面清洗通过从硅片边缘清除可能会影响器件面积的无用材料，提高芯片成品率。

泛林集团去胶技术可选择性地清除残余的光刻胶，工艺灵活性高，适用于多种应用，而针对要求最严苛的清洗步骤，我们具有高生产力的清洗产品可提供从中心到边缘均干净的表面。