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申请(专利)号：

CN201310157308.2

申请日期：

2013年5月2日

公开/公告号：

CN103257534A

申请(专利权)人：

上海华力微电子有限公司

发明人：

张亮，毛智彪

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国省代号：

上海;31

摘要：

本发明公开了一种光刻返工去胶工艺包括提供待光刻返工的晶圆,该晶圆表面经过第一次光刻并具有残留的光刻胶;使用可产生使该光刻胶发生完全光化学反应的光束的光刻机,对整个晶圆表面曝光;对曝光后的晶圆表面显影,去除光刻胶.本发明不需要利用等离子干法灰化,不存在高温制程,也不需要用到强氧化性或强酸性的化学液,因而不会对晶圆表面的薄膜产生损伤或改性.本发明工艺简单,原料消耗少,可以提高整个制造工艺流程的稳定和可制造性能,并且能增大最大光刻返工次数的限制,为研究开发和大量生产提供更大的工艺容错度.

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主权项：

1.一种光刻返工去胶工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，提供待光刻返工的晶圆，该晶圆表面经过第一次光刻并具有残留的光刻胶；步骤S02，使用可产生使该光刻胶发生完全光化学反应的光束的光刻机，对整个晶圆表面曝光；步骤S03，对曝光后的晶圆表面显影，去除光刻胶。

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