AZ 5214E 正/负可改变型光刻胶 |
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AZ 5214E 正/负可改变型光刻胶
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AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。 AZ光刻胶特点： 适用于高分辨率工艺（lift-off工艺） 适用于正/负图形 很宽的膜厚范围 AZ光刻胶工艺条件： 前烘：100℃ 60秒 (DHP) 曝光：1线步进式曝光机/接触式曝光机 反转烘烤：110~125℃ 90秒（DHP）：去离子水30秒 全面曝光：310~405nm(在曝光光源下全面照射) 显影：AZ300MIF显影液 (2.38%) 23℃ 30~60秒 Puddle AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping AZ 400K(1:4)23℃ 60秒Dipping 清洗：去离子水30秒 后烘：120℃ 120秒（DHP） 剥离：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化
AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率；高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进；广泛应用于全球半导体行业。 光刻胶产品型号及参数 光刻胶名称型号匀胶厚度Merck AZ 正/负可转换型光刻胶AZ 52140.5-6umAZ 50XT 正胶AZ 50XT40-80umAZ 9260 正胶AZ 92606.2-15umAZ 4620 光刻胶AZ 462010-15umMicroChem SU-8 负胶SU-8 201513-38umMicroChem SU-8 负胶SU-8 205040-170umMicroChem SU-8 负胶SU-8 207560-240umMicroChem SU-8 负胶SU-8 2150190-650umMicroChem SU-8 负胶SU-8 30108-15umMicroChem SU-8 负胶SU-8 305044-100umAZ光刻胶其他参数及说明：
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