I

摘

要

碳化硅陶瓷具有高温强度高、抗氧化性强、耐磨损性好、热膨胀系数

小、硬度高、抗热震和耐化学腐蚀等优良特性

,

因此

,

在很多领域得到广泛

应用。然而

,

SiC

是一种共价键性很强的化合物

,

其自扩散系数极小

,

可烧结

性很差。

在传统的粉末冶金

SiC

烧结工艺条件下

,

如果不加入适当的添加剂

,

纯

SiC

是很难烧结致密化。

采用超高压烧结方法可以在较低温度、

较短时间、

低烧结助剂添加量下获得高致密度、高性能的陶瓷。

本文利用高压六面顶压机对

SiC

陶瓷的高压烧结，对

SiC

陶瓷的高压烧

结工艺及性能进行了初步的研究，并进行了理论分析，探索了其显微结构

与性能之间的关系。通过对

SiC

复相陶瓷的相对密度和

XRD

谱的研究分析，

发现高压烧结的

SiC

陶瓷材料具有优良的性能，

主要体现在导热性能和韧性

在，有良好的应用前景。

与常压相比，高压烧结可以有效的降低金属陶瓷的烧结时间和烧结制

度，增进致密化，进而达到改进性能的目的。六面顶高压烧结技术是一种

快速、高效的烧结技术，大大降低了烧结温度和缩短了烧结时间，并且可

制备出接近理论密度的复相陶瓷材料。采用超高压烧结工艺可以烧结获得

无烧结助剂添加的高致密度

SiC

陶瓷

(

致密度

92%~100%

)

。烧结工艺对陶瓷

的性能有明显的影响，实验结果表明：

Al

2

O

3

是

SiC

烧结的有效烧结助剂

,

在

低添加量下

(

约

2wt%

)

即可实现陶瓷的全致密烧结。

烧结工艺对添加了烧结

助剂陶瓷性能的影响与纯

SiC

的烧结类似

,

但获得的陶瓷的致密度普遍较

高。

关键词：

SiC

陶瓷

高温高压技术

烧结性能

物相分析（

XRD

谱

)