摘

要

碳化硅陶瓷具有诸多优异的性能，被广泛应用于许多领域，碳化硅陶瓷制备常用无

压烧结工艺。无压烧结具有操作简单、成本低、可制备形状复杂和大尺寸的碳化硅部件，

而且相对容易实现工业化等特点，因此无压烧结是碳化硅陶瓷制备中最有前途的烧结方

法。

本实验采用无压烧结，

在

α

-SiC

粉体中添加不同含量粒度为

1µ

m

的

β

-SiC

，

烧结助剂为

碳化硼，粘结剂为酚醛树脂，保护气氛为氩气，烧结温度为

2010

℃，烧结时间为

40min

。

分析烧结体的性能，

确定烧结体性能最佳时的

β

-SiC

添加量。

实验结果表明：

β

-SiC

添加量

为

10

％

wt

时，

烧结体体积密度最高，

可达

3.128g/cm

3

。

初步确定最佳的

β

-SiC

添加量为

10

％

wt

。

关键词

：无压烧结，

α

-SiC

，

β

-SiC

，固相烧结