由西安交通大学出版社出版，作家：施敏。1969年，《半导体元件物理学》（Physics of Semiconductor Devices）第一版出版，随后被翻译成六国语言，广泛用作半导体器件领域教科书与参考书。第三版由西安交通大学出版社出版。

施敏是非挥发MOS场效应记忆晶体管（NVSM）的发明者，也是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家，美国工程院院士、中国工程院外籍院士。2003年以来，在内地多家高校开设“半导体物理和设备”这门课程，为推动微电子人才培养做出了巨大的贡献。

由电子工业出版社2012年出版，作者：胡正明。

《国外电子与通信教材系列:现代集成电路半导体器件》系统介绍了现代集成电路中的半导体器件，是一本深入阐述半导体器件的物理机制和工作原理的教材。

本书强调了不同半导体器件中的共性，集中介绍了PN结、金属半导体接触、双极型晶体管和MOSFET等几个基本器件的结构和理论，在此基础上引入了其他重要的半导体器件， 如：太阳能电池、LED、二极管激光器、CCD和CMOS图像传感器、HEMT器件和存储器等。

由电子工业出版社2011年出版，作者：刘恩科、朱秉升、罗晋升。

《半导体物理学(第7版)》较全面地描述了半导体物理的基础知识，全书共13章。

主要内容为：

半导体的晶格结构和电子状态；

杂质和缺陷能级；

载流子的统计分布；

载流子的散射及电导问题；

非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；

pn结；

金属和半导体的接触；

半导体表面及MIS结构；

半导体异质结构；

半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。

这本书既可作为高等学校相关专业学生的教材，也可让相关专业的从业人员参考。

由电子工业出版社出版，美国加州伯克利大学David A. Hodges等教授所著，被国内外多所高校选定为微电子专业本科生和研究生的教材。

本书集中讨论了最新的CMOS工艺，并在全书中使用标准的深亚微米模型。书中对有关存储器的内容进行了拓展和更新。包含了更多SPICE模拟的内容。此外，增加了很多反映当前工艺和设计时间的新习题和实例。

由电子工业出版社2010年出版，作者：拉贝尔。

《数字集成电路:电路、系统与设计(第2版)》是美国加州大学伯克利分校经典教材。本书分三部分：基本单元、电路设计和系统设计。

以0.25微米CMOS工艺的实际电路为例，讨论了深亚微米器件效应、电路最优化、互连线建模和优化、信号完整性、时序分析、时钟分配、高性能和低功耗设计、设计验证、芯片测试和可测性设计等主题，着重探讨了深亚微米数字集成电路设计面临的挑战和启示。

本书是高等院校电子科学与技术、电子与信息工程、计算机科学与技术等专业学生的教科书。

本书是英文版第四版，由电子工业出版社2015年出版，全书详细讲述了CMOS数字集成电路的相关内容，为反映纳米级别CMOS技术的广泛应用和技术的发展， 全书在前版的基础上对晶体管模型公式和器件参数进行了修正，几乎全部章节都进行了重写，提供了反映现代技术发展水平和电路设计的最新资料。 全书共15章。

由电子工业出版社出版2004年出版，作者是尤耶缪拉。

本书介绍CMOS数字大规模集成电路与系统设计的基础，全书分为三部分。 

第1部分介绍集成电路的逻辑与物理层设计， 包括CMOS静态门的逻辑设计与信号控制， 芯片生产与制造工艺， 版图设计与CAD工具。

第2部分介绍MOSFET的特性和开关模型， 各类逻辑电路，包括高速CMOS逻辑电路，同时介绍分析逻辑链延时的经典方法和新方法。

第3部分为VLSI的系统设计，介绍Verilog HDL高层次描述语言， 分析数字系统单元库部件以及加法器和乘法器的设计，并且研究物理设计中应当考虑的问题。