第1章　半导体中的电子和空穴1.1　硅的晶体结构1.2　电子和空穴的成键模型1.3　能带模型1.4　半导体、绝缘体和导体1.5　电子和空穴1.6　态密度1.7　热平衡与Fermi函数1.8　电子和空穴的浓度1.9　n和p的通用理论1.10　在极端温度下的载流子浓度1.11　本章小结习题参考文献相关阅读资料第2章　电子和空穴的运动与复合2.1　热运动2.2　漂移2.3　扩散电流2.4　能带图与V、的关系2.5　D和μ之间的爱因斯坦关系2.6　电子空穴复合2.7　热产生2.8　准平衡和准Fermi能级2.9　本章小结习题参考文献相关阅读资料第3章　器件制造技术3.1　器件制造简介3.2　硅的氧化3.3　光刻3.4　图形转移——刻蚀3.5　掺杂3.6　掺杂剂的扩散3.7　薄膜淀积3.8　互连——后端工序3.9　测试、组装与合格鉴定3.10　本章小结——一个器件的制造实例习题参考文献相关阅读资料第4章　PN结和金属半导体结第1部分：PN结4.1　PN结的理论基础4.2　耗尽层模型4.3　反偏PN结4.4　电容电压特性4.5　结击穿4.6　正向偏置时的载流子注入——准平衡边界条件4.7　电流连续性方程4.8　正偏PN结中的过剩载流子4.9　PN结二极管的IV特性4.10　电荷存储4.11　二极管的小信号模型第2部分：PN结在光电器件中的应用4.12　太阳能电池4.13　发光二极管和固态照明4.14　二极管激光器4.15　光电二极管第3部分：金属半导体结4.16　Schottky势垒4.17　热发射理论4.18　Schottky二极管4.19　Schottky二极管的应用4.20　量子力学隧道效应4.21　欧姆接触4.22　本章小结习题参考文献相关阅读资料第5章　MOS电容5.1　平带条件和平带电压5.2　表面积累5.3　表面耗尽5.4　阈值电压5.5　高于阈值的强反型5.6　MOS结构的CV特性5.7　氧化层电荷——对Vfb和Vt的修正5.8　多晶硅栅的耗尽——等效Tox的增大5.9　反型层和积累层厚度以及量子力学效应5.10　CCD和CMOS成像传感器5.11　本章小结习题参考文献相关阅读资料第6章　MOSFET晶体管6.1　MOSFET简介6.2　互补MOS（CMOS）工艺6.3　表面迁移率和高迁移率FET6.4　MOSFET的Vt， 体效应和超陡倒掺杂6.5　MOSFET中的Qinv6.6　基本MOSFET的电流电压模型6.7　CMOS反相器——电路实例6.8　速度饱和6.9　速度饱和下的MOSFET的电压电压模型6.10　寄生源漏电阻6.11　串联电阻和等效沟道长度的提取6.12　速度过冲和源区速度极限6.13　输出电导6.14　高频性能6.15　MOSFET的噪声6.16　SRAM， DRAM和非易失性（FLASH）存储器件6.17　本章小结习题参考文献相关阅读资料第7章　IC中的MOSFET——按比例缩小、漏电及其他问题7.1　按比例缩小工艺——成本、速度及功耗7.2　亚阈值区电流——“关”不是完全“关”7.3　Vt下降——短沟MOSFET漏电更多7.4　减小栅绝缘层的电学厚度和隧穿电流7.5　如何减小Wdep7.6　浅结及金属源/漏MOSFET7.7　Ion和Ioff之间的折中以及可制造性设计7.8　超薄体SOI及多栅MOSFET7.9　输出电导7.10　器件模拟和工艺模拟7.11　用于电路模拟的MOSFET集约模型7.12　本章小结习题参考文献相关阅读资料第8章　双极型晶体管8.1　双极型晶体管简介8.2　集电极电流8.3　基极电流8.4　电流增益8.5　由集电极电压导致的基区宽度调制8.6　EbersMoll模型8.7　渡越时间与电荷存储8.8　小信号模型8.9　截止频率8.10　电荷控制模型8.11　大信号电路模拟模型8.12　本章小节习题参考文献相关阅读资料附录A　态密度的推导附录B　FeimiDirac分布函数的推导附录C　少数载流子假设的自洽性部分习题的答案索引