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半导体集成电路课后答案 《现代半导体集成电路》全面介绍了现代半导体集成电路的基础知识、分析与设计方法。以下是由阳光网小编整理关于半导体集成电路的课后答案,希望大家喜欢! 点击进入:半导体集成电路课后答案.pdf 导体集成电路目录章节一,集成电路的基本制造工艺 二,集成电路中的晶体管及其寄生效应 三,集成电路中的无源元件 四,晶体管-晶体管逻辑电路 五,发射极耦合逻辑电路 六,集成注入逻辑电路 七,MOS反相器 八,MOS基本逻辑单元 九,MOS逻辑功能部件 十,存储器 十一,接口电路 十二,模拟集成电路中的基本单元电路 十三,集成运算放大器 十四,MOS开关电容电路 十五,集成稳压器 十六,D/A,A/D变换器 十七,集成电路设计概述 十八,集成电路的正向设计 十九,集成电路的芯片解剖 二十,集成电路设计方法 二十一,集成电路的可靠性和可测性设计简介 二十二,集成电路的计算机辅助设计简介 半导体集成电路的基本概念1 电路的关态-指电路的输出管处于截止工作状态时的电路状态,此时在输出端可得到 VO=VOH,电路输出高电平。 2 电路的开态-指电路的输出管处于饱和工作状态时的电路状态,此时在输出端可得到 VO=VOL,电路输出低电平。 3 电路的电压传输特性-指电路的`输出电压VO随输入电压Vi变化而变化的性质或关系(可用曲线表示,与晶体管电压传输特性相似)。 4 输出高电平VOH-与非门电路输入端中至少一个接低电平时的输出电平。 5 输出低电平VOL-与非门电路输入端全部接高电平时的输出电平。 6 开门电平VIHmin-为保证输出为额定低电平时的最小输入高电平(VON)。 7 关门电平VILmax-为保证输出为额定高电平时的最大输入低电平(VOFF)。 8 逻辑摆幅VL-输出电平的最大变化区间,VL=VOH-VOL。 9 过渡区宽度VW-输出不确定区域(非静态区域)宽度,VW=VIHmin-VILmax。 10 低电平噪声容限VNML-输入低电平时,所容许的最大噪声电压。其表达式为 VNML=VILmax-VILmin=VILmax- VOL(实用电路)。 11高电平噪声容限VNMH-输入高电平时,所容许的最大噪声电压。其表达式为 VNMH=VIHmax-VIHmin=VOH- VIHmin(实用电路)。 12 电路的带负载能力(电路的扇出系数)-指在保证电路的正常逻辑功能时,该电路最多可驱动的同类门个数。对门电路来讲,输出有两种稳定状态,即应同时考虑电路开态带负载能力和电路关态带负载能力。 13 输入短路电流IIL-指电路被测输入端接地,而其它输入端开路时,流过接地输入端的电流。 14 输入漏电流(拉电流,高电平输入电流,输入交叉漏电流)IIH-指电路被测输入端接高电平,而其它输入端接地时,流过接高电平输入端的电流。 15 静态功耗-指某稳定状态下消耗的功率,是电源电压与电源电流之乘积。电路有两个稳态,则有导通功耗和截止功耗,电路静态功耗取两者平均值,称为平均静态功耗。 16 瞬态延迟时间td-从输入电压Vi上跳到输出电压Vo开始下降的时间间隔。Delay-延迟。 17 瞬态下降时间tf-输出电压Vo从高电平VOH下降到低电平VOL的时间间隔。Fall-下降。 18 瞬态存储时间ts-从输入电压Vi下跳到输出电压Vo开始上升的时间间隔。Storage-存储。 19 瞬态上升时间tr-输出电压Vo从低电平VOL上升到高电平VOH的时间间隔。Rise-上升。 20 瞬态导通延迟时间tPHL-(实用电路)从输入电压上升沿中点到输出电压下降沿中点所需要的时间。 21 瞬态截止延迟时间tPLH-(实用电路)从输入电压下降沿中点到输出电压上升沿中点所需要的时间。 22 平均传输延迟时间tpd-为瞬态导通延迟时间tPHL和瞬态截止延迟时间tPLH的平均值,是讨论电路瞬态的实用参数。 【半导体集成电路课后答案】相关文章: 1.半导体集成电路试题及答案(一) 2.半导体集成电路模拟试题及参考答案 3.半导体器件物理(孟庆巨著)课后答案 4.《半导体器件物理与工艺》课后习题答案下载 5.《半导体物理与器件》第三版(Neamen著)课后答案下载 6.半导体物理学问题与习题(田敬民著)课后答案下载 7.半导体物理试题及答案 8.《社戏》课后答案 |
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