半导体工艺 |
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3、窗口边缘无过腐蚀(去胶重新光刻); 4、窗口内无染色现象(报废); 5、氧化膜无腐蚀针孔(去胶重新光刻); 6、氧化膜无划伤等(去胶重新光刻)。 Al上CVD腐蚀: 掺磷的SiO2是磷硅玻璃,如果PSG是长在铝上做钝化层,这时采用二氧化硅腐蚀液腐蚀会伤及铝层,所以一般采用如下腐蚀液:冰乙酸:氟化铵=2:3。具体步骤为: 1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S; 2、将片架放入装有腐蚀液(冰乙酸:氟化铵=2:3)的槽中浸泡,并且上下晃动片架; 3、将片架放入装有甲醇溶液(甲醇:纯水=1:1)的槽中浸泡; 4、在溢流槽中溢流冲水; 5、冲纯水; 6、甩干。 铝腐蚀: 在铝腐蚀清洗机中进行,具体步骤为: 1、将装有待铝腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10-15s,并且上下晃动; 2、将片架放入装有45℃左右的铝腐蚀液(磷酸+硝酸+醋酸+纯水)的槽中浸泡,上下晃动片架,使得铝腐蚀更充分,腐蚀的时间根据先行片的腐蚀时间进行调整,直到腐蚀后看到二氧化硅表面为止; 3、冲纯水; 4、甩干:在甩干机中甩干后烘干。 磷酸约占80%,主要起腐蚀铝的作用,硝酸占1%-5%,其与铝反应生成溶于水的硝酸盐,可以提高腐蚀速率,但含量过多会影响光刻胶抗蚀刻能力,醋酸占10%左右,它能降低腐蚀液的表面张力,增加硅片与腐蚀液的浸润效果,提高腐蚀均匀性,同时具有缓冲作用,纯水占5%左右。 铝腐蚀后检验,主要项目有: 1、连铝、铝过腐蚀、铝条间残铝、铝条不过细、铝条氧化——去胶后重新蒸铝; 2、铝条变色(灰、黑、黄)——如果变色严重则报废。 SIPOS腐蚀: 1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡20—30S,上下晃动; 2、将片架放入装有腐蚀液(40%NH4F溶液:H2O:40%HF溶液=10:6:1)的槽中浸泡,并且上下晃动片架; 3、冲纯水; 4、甩干。 等离子体刻蚀: 等离子体刻蚀可用于刻蚀SiO2,Si3N4,多晶硅等,但是,通常氧化硅用湿法腐蚀快,而氮化硅也可以采用二氧化硅腐蚀液,但是腐蚀速度慢,因此氮化硅刻蚀用干法刻蚀,所用的设备有901E/903E TEGAL plasma etching system型等离子刻蚀设备,用的的刻蚀气体有:CF4、O2、N2、SF6、CHF3、NF3、He、C2F6等。 1)Si3N4刻蚀: 在903E刻蚀机中刻蚀,刻蚀机内通入的气体有:CF4、NF3、He。 刻蚀机理是: CF4电离→CF3+F*(氟自由基) CF3电离→CF2+F* CF2电离→CF1+F* 12F*+ Si3N4→3Si F4↑+2 N2↑ 氟游离基的作用是使氮化硅被腐蚀,生成物是气体,被真空装置抽气抽走。为了加快腐蚀速率可以在CF4中加入少量氧气(5%-8%),因为氧能够抑制F*在反应腔壁的损失,并且:CF4+O2→F* +O*+COF*+COF2+CO+…… (电离) COF*寿命较长,当它运动到硅片表面时发生以下反应从而加速了腐蚀速率: COF*→F* CO (电离) 但是氧气加多了要腐蚀光刻胶降低选择比。 2)SIPOS、多晶硅刻蚀: 在901E刻蚀机中刻蚀,刻蚀机内通入的气体有:SF6。 玻璃腐蚀: 1、 配制5%HF溶液, 配制腐蚀液:5%HF溶液:H2O=3:50; 2、常温下,将硅片放入腐蚀液中浸泡; 3、在溢流槽中冲洗; 4、冲纯水; 5、甩干。 湿法去胶: 铝淀积前去胶在SH去胶机(湿法腐蚀机)中进行,采用SH溶液将胶氧化的方法去胶,具体步骤为: 1、在SH清洗剂(98%H2SO4:H2O2=3:1)中浸泡; 2、在温纯水中溢流冲水; 3、在溢流槽中溢流冲水; 4、甩干。 由于酸对铝有腐蚀作用,淀积铝后去胶就不能用酸,在此采用有机溶剂OMR502剥离液去胶,在OMR剥离清洗机中进行,具体步骤为: 1、在剥离液(OMR-83剥离液)中浸泡去除光刻胶; 2、再在H-1清洗剂中浸泡去除剥离液; 3、在异丙醇中浸泡去除H-1清洗剂; 4、冲纯水; 5、甩干。 等离子体干法去胶: 用HDK-2型等离子刻蚀去胶机去胶,在去胶机内通入刻蚀气体O2。等离子体内的活化氧使有机物在(50—100)℃下很快氧化,生成CO2、CO、H2O等挥发性成份,从而达到去胶目的。 特殊胶(PI钝化产品、带胶注入产品):PI去胶时除了O2,再加适量的CF4,如果去不干净再在等离子刻蚀机上用SF6处理。 一般在Si3N4刻蚀后去胶用有机溶剂剥除,然后在等离子体去胶机中去胶丝,刻蚀后在显微镜下观察硅片表面是否有残丝。 去胶后检查: 1、有残胶——再去胶; 2、有残液——再清洗; 3、有残迹——用1号液清洗; 4、窗口有二氧化硅或铝残留。返回搜狐,查看更多 |
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