财联社6月11日讯（编辑 刘越）存储巨头SK海力士周四宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。

大数据时代，算力等各种需求仍将不断刺激存储市场增长。据Yole预测，从2021到2027年，DRAM将以9%的年均增长率增长，2027年市场规模将达到1585亿美元，NAND Flash将以6%的复合增长率增长，市场规模将达到960亿美元。整个存储业的复合年均增长率预计为8%。国信证券分析师胡剑等3月27日发布的研报指出，NAND主要应用于存储端和手机端。据IDC统计，应用于存储器的NAND占比57.1%，应用于手机端的NAND占比30.6%。

胡剑指出，大模型训练产生海量数据存储需求，3D NAND需求提升，随着算力的不断进步，所需存储的数据量在以指数级的增长速度攀升。存储单元在水平方向上变得不易持续，尺寸微缩不再能够满足存储器的成本需求，垂直堆叠存储单元的3D NAND逐渐成为市场主流。浙商证券分析师陈抗等4月3日发布的研报指出，3D NAND是低成本/大容量非易失存储的主流技术方案，是先进存力的前进方向之一。

中泰证券分析师王芳等5月22日发布的研报指出，2D到3D大势所趋。2019年，3D NAND的渗透率为72.6%，已远超2D NAND，且未来仍将持续提高，预计2025年3D NAND将占闪存总市场的97.5%。

国元证券指出，NAND Flash的产业链分为NAND Flash原厂颗粒、主控芯片设计、封装工厂与品牌销售。各产业链环节中，封装企业与半导体封测企业有较大的重合，如日月光、长电科技、华天科技、通富微电等，我国在半导体封测领域处于国际上的第一梯队，因此在NAND Flash存储的封装领域表现也较为优异。

从竞争格局来看，3D NAND市场被海外厂商占据，长江存储努力突围。截至2022年，全球3D NAND市场主要被三星、SK海力士、铠侠、西部数据、美光等海外大厂所垄断，占比高达97%。胡剑指出，国内优秀存储厂商长江存储厚积薄发，在全球NAND市场中已占据一席之地，创新研发的Xtacking技术进一步提高了芯片的集成度，在堆叠层数上率先进入了200层以上的第一梯队。

据财联社不完全统计，中微公司、国科微、东芯股份和德明利有3D NAND相关布局。

中微公司在互动平台表示，在3D NAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量产，同时公司根据存储器客户的需求正在开发验证新一代设备。

国科微在互动平台表示，公司自研的固态硬盘控制器芯片，属于微处理器和逻辑集成电路的范畴，主要用于后端控制2.5/3D NAND存储颗粒，前端符合SATA等类型的接口规范要求。

东芯股份在互动平台表示，与2D NAND相比，3D NAND可以通过将存储单位进行多层堆叠的设计方式，在相同的产品体积下，堆叠内存能够实现数倍于传统内存的存储容量，公司在3D NAND方面具有相应的技术储备。

德明利在互动平台表示，我国的长江存储（YMTC）经过多年的研发和设备投入，已逐步开始量产并向市场供应NAND Flash芯片产品，从根本上打破了NAND Flash芯片长期由境外厂商垄断的市场格局，公司于2020年11月成为长江存储（YMTC）Xtacking 3D NAND金牌生态合作伙伴，并开始批量采购和产品验证，有望尽快实现移动存储产品从晶圆到闪存主控芯片的100%国产化大规模替代。