IGBT是电力电子装置的CPU，在电力电子变流和控制中起着举足轻重的作用。变频器中，IGBT模块更为重要。但是，IGBT模块会经常出现爆炸的情况。

因为某些原因，模块的损耗十分巨大，热量散不出去，导致内部温度极高，产生气体，冲破壳体，这就是所谓的IGBT爆炸。下面，对IGBT爆炸的原因进行简明扼要的介绍。 IGBT爆炸原因主要围绕内部因素、人为因素、常见因素、其他因素四方面。

1、内部因素： 从爆炸的本质是发热功率超过散热功率，内部原因应该就是过热。

2、人为因素： 进线接在出线的端子上；变频器接错电源 ；没按要求接负载。

3、常见因素： 过电流：一种是负载短路，另一种是控制电路处逻辑受干扰，导致上下桥臂元件直通。 绝缘的损坏 过电压：通常是线路杂散电感在极高的di/dt作用下产生的尖峰电压而造成，解决的办法就是设计高性能吸收回路，降低线路杂散电感。 过热：IGBT不能完全导通，在有电流的情况下元件损耗增大，温度增加导致损坏。 通讯误码率：通讯一段时间后，突然的错误信息导致IGBT误导通使IGBT爆炸;通讯板FPGA程序运行不稳定导致IGBT误导通使IGBT爆炸。

4、其他因素： 电路中过流检测电路反应时间跟不上。 IGBT短路保护是通过检测饱和压降，而留给执行机构的时间一般是10us(8倍过流)在上电的时候容易烧预充电电阻和制动单元里的IGBT。 工艺问题：铜排校着劲、螺丝拧不紧等。 短时大电流：原因也有很多，比如死区没设置好、主电路过压、吸收电路未做好。 驱动电源也是个应该特别注意的问题，该隔离加隔离、该滤波加滤波。 电机冲击反馈电压过大导致IGBT爆炸。但对于充电时爆炸的情况发生的概率不是很大。 电机启动时，输入测电压瞬间跌落，电容放电。输入测电压恢复后电容充电时的浪涌电流过大致使IGBT爆炸。

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审核编辑：汤梓红