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PN 

结扩散电容：为了形成正向电流

(

扩散电流

)

注入

  P 

区的少子

(

电子

)

在

 P 

区有

浓度差，越靠近

 PN 

结浓度越大，既是在

 P 

区有电子的积累，

同理，在

 N 

区有空穴的积累，

正向电流大，积累的电荷多，这样所产生的电容就是扩散电容

  CD

。

势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压发生变化的时候，就会引起积累在

势垒区的空间电荷的变化，这样所表现的电容就是势垒电容。

BJT 

的放大作用：

BJT 

工作

于放大状态的基本条件：发射结正偏、集电结反偏。

( NPN )

场效应：

电场对

半导体

的影响。在电场作用下

半导体

中

自由电子

和自由空穴的平衡遭

到破坏。如

 MOS 

结构在不同的电场作用下，由于电场对

半导体

内载流子的吸引或排斥作

用而在半导体表面附近产生载流子的积累或耗尽，通常把这种半导体表面电导受垂直电场

调制的效应称为场效应。

欧姆接触：欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本

身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区

 (Active  region)

而不在接触面。欧

姆接触在金属处理中应用广泛，实现的主要措施是在

半导体表面层

进行高掺杂或者引入大

量

复合中心

。

整流接触；电流只能单向流过。与此相对应的是：欧姆接触。电流可以双向流过

表面电场效应：在外加电场的作用下，在半导体的表面层内发生的物理现象。

热载流子，是指比零电场下的载流子具有更高平均动能的载流子。