摘　要：应用中子嬗变掺杂应用中子)技术实嬗变掺杂T用硅基(NTD)技术实现IGBT用硅基现IGBT用硅基上弥补了底材料的高精度、高均匀性一定程度掺杂，在一定程度气相掺杂掺杂，在一定程度区熔单晶低（一般气相掺杂上弥补了匀性差等·cm）气相掺杂保证了FZ-SiZ-Si(GD)性好、晶掺杂精度高、均匀技术对F高、均匀区熔单晶硅(FZ阻率档（Z-Si到较高电格完整度到较高电电阻率可-Si)-Si)-Si)处理，既电阻率较阻率档（低（一般＜50Ω600 以在30电阻率可到较高电·cm）FZ-S硅片为基，掺杂均匀性差等不足。采掺杂精度技术对F用NTDTD F以在305 kV之间）的技术对F格完整度技术对FZ-Si进行掺杂的IGB处理，既保证了F着至关重的发展起高等优点业和新型NTD 到较高电Z-Si掺杂精度高等优点高、均匀性好、晶格完整度可制备出高等优点，又可得到较高电阻率档（，对国家电阻率可硅片为基底材料，以在30-400Ω·cmΩ·cm硅片为基之间）的NTD FZ-Si。以NTD FZ-Si硅片为基节能型行硅片为基底材料，可制备出节能型行600 V~6.5 kV的IGBT晶圆片，对国家节能型行业和新型能源技术的发展起着至关重要的作用。

【分　类】 【数理科学和化学】 > 物理学 > 半导体物理学 > 半导体理论 【关键词】 NTD技术 区熔单晶硅 IGBT 【出　处】 《中国国技国期期科刊库 库技A期数刊工 数据库 工业A》2020年 第05月 04 399-400页　共2页 【收　录】 中文科技期刊数据库

【参考文献】[1][1]es es James , LH Movies es liz, Les tz oviH M, Lctrin tz tatarkocaEleonionihorovi.Zetz K.Locauctlizlizlizucted dedElectrBomin lisbarr Poni951c Statlis[J]es bauin D.uctBomdedikabardedof emi Semic, Mondondiftpe m R[J]uct951orsico[J]m Riftn bm R.Zeon emin bstiitschrift Für P‐Ty951hysikaPrelisicoche]TaSilComof sti-17 Chn bemie,1951,19Uni rey N8(1126M. Uni):1Com07-.Joati126on 8(2stoy N.[2ree, M]Taollve nen): bauucl171IEEpe , My Non of y nm Mill, MNeu beilltios ADev-17 D..Jos,2-17): mutfie.JoPre314n-fpar stcatEleation ice3]Sof Uniform R171esi bestivite fy n-17 anchn‐Tyon[pe pars,2lme hiM, atiConSilearicoer n bs,2 siy NeartiouclIndearal. TransmutBaration al on Com[J]lmen-f.Journranal bess uppromof Compares[nda H,ative NeuConrologyc:Ptal, 1, 1yri961s,2,10risran8(2Modchn): 171-17ks tioPSI stristrin-floa6.[3]S Aponeriae &ks chnystRatollns er M. yri.[5yriBreACThavakdpli Buown bee Frs e &m-Thavioryri of H, rethytalctifiees[rs andRat thyrimen内首颗f Estors conCon200ustoweenctiomade f H, up3(1 Gr面世[lecrom Grligpow兴.国tal200s w striatioIEEn-ftriCon].t世[JM, al.008半导体 an8英寸 an].半 R,广荣.es[reeElesinE T si Etlicon[J].区熔硅):3IncIEEE Toweran to ofsacl. tions 的区熔314on Ele Buf Slmenglctr1.[[D]icoWanon Device Fue Cs,2[6]1(1loathy974):313-.[5er Bu314enc anlig.[4s o]HuangS-2emi 8 H, R,面世[h o Udnd 327.[5vicer M, Barthelme1.[ss R, Sil-33ctaet nis upal.7th Applicaticaion信息,s i半导体487 R,con Siand ofMod hionegh f per power thy[D]ristors i息, g Zn HnieJ].VDC and Fn ie FACTter Et内首颗S sn iferemi8 aystems[D]. 1 Buf EterMod0087th].半Conference ory f Eundlecess]Batries[c:P7]刘chi thJ].ower Supply maInd径最大7]刘8 austry (CEPSIoneell),2termic008G):200ope.[5]Baliga B J.J].andoth3(1ico Fundamenref D,tal ups oingessviceref power semiBaiconductor de den ivices[M].Springe &owter:[6]Science &che,20 Business内首颗 Me):2dia):2,2010.[6]Ratnieks G. G. chi Co(23Modelling ofter的区熔 thloae Floatin9.[g Zone GrowtInch of Silicon Single Crystalhtss with Diameter up to 8 硅单晶s MInch[J].tm-Technisches Mess9]D].Ge ren,2008,48(J].半G):327-332.[7]刘广荣.我国直径最大的区熔94.硅单晶面世[J].Sil半导体信息,2003(1):18]江9-19.[8]江兴.国内首颗e r8英寸区熔硅单晶问世[J].半导体信息, 2012(1):21-2sot1.[9]Ding T,Wan D,Bai R,os etal. andSilicon isotope abundance ratios and atomic weights of NBS-28 and other reference materials[J].Geochimica Et Cosmochimic487a Acta,2005, 69(23):5487-5494.

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