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6n60场效应管,6n60场效应管参数,4560A中文资料-KIA MOS管 信息来源:本站 日期:2024-02-23 分享到: 6n60场效应管,6n60场效应管参数,4560A中文资料-KIA MOS管6n60场效应管参数引脚图 正向电流:6A 反向耐压:600V 漏极和源极电压(VDSS):600V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):1.2Ω 耗散功率(PD):125W 6n60场效应管参数代换,KND4560A资料 KND4560A场效应管漏源电压600V,漏极电流6A,RDS(ON)为1.4Ω(在VGS=10V时的典型值);具有TO-251、252封装形式可供选择,方便安装使用。KND4560A能够替代士兰微、ST、华晶的SVF6N60D、STF6N60、CS6N60A3型号进行使用,是一款优质稳定、性价比高的国产MOS管。
KND4560A采用低栅极电荷最小化设计,能够快速开关,保证电路的稳定性;快速恢复体二极管,有效防止电压反向时的损坏,保护整个电路系统。符合RoHS标准,具有优良的性能和可靠性;能够有效降低开关损耗,提高电路效率。 6n60场效应管参数代换,KND4560A参数 漏源电压:600V 漏极电流:6A 漏源通态电阻(RDS(on)):1.4Ω 栅源电压:±30V 脉冲漏电流:24A 雪崩能量单脉冲:250MJ 最大功耗:83W 输入电容:700PF 输出电容:75PF 反向传输电容:8PF 开通延迟时间:10nS 关断延迟时间:32nS 上升时间:13ns 下降时间:16ns 6n60场效应管参数代换,KND4560A规格书
KND4560A场效应管适用于适配器、充电器、SMPS备用电源等多种场合,广泛应用于电源管理、电子设备及工业控制等领域。其性能稳定可靠,反应速度快,能够满足高效能、高频率等需求。小巧的封装设计,使其在电路板上占据较小空间,有利于整体设计的紧凑性。优化的工艺技术确保了其稳定性和可靠性,为各种电源管理应用提供了可靠的解决方案。
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