存储器分类

NAND闪存卡的主要分类以NAND闪存颗粒的技术为主，NAND闪存颗粒根据存储原理分为SLC、MLC、TLC和QLC，从结构上又可分为2D、3D两大类。Flash技术主要分为SLC、MLC、TLC和QLC四大类，对应不同的空间结构，这四类技术可又分为2D结构和3D结构两大类。2D结构的存储单元仅布置在芯片的XY平面中，为了提高存储密度，制造商开发了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技术，该技术将Z平面中的存储单元堆叠在同一晶圆上。3D NAND正与不同的NAND技术相结合(SLC、QLC)，未来更高堆叠层数的3D NAND是行业发展的趋势。

SLC即为Single-Level Cell，即1 it per cell，1个存储器储存单元可存放1 bit的数据，只存在0和1两个充电值。以此类推，QLC即Quadruple-Level Cell，即4 bit per cell，1个存储器储存单元可存放4 bit的数据。

从原理上看，QLC的每个单元可储存4个数据，那就意味着与前三种闪存相比，QLC闪存可以在同等的面积上，存储更多的数据。拥有成本更低、容量更大、高密更高等特点，适合于读取密集型应用。

四种类型的NAND闪存颗粒性能各有不同。SLC单位容量的成本相对于其他类型NAND 闪存颗粒成本更高，但其数据保留时间更长、读取速度更快;QLC拥有更大的容量和更低的成本，但由于其可靠性低、寿命短等缺点，仍有待后续发展。目前主流的解决方案为MLC与TLC。

SLC（Single-Level Cell, SLC ）NAND是原始的NAND架构。其更高的耐用性（vs.MLC）使其非常适合各种消费和工业应用，其具有较长的使用寿命。低密度SLC是指（