目录

实验步骤

实验1：看输出特性：

实验2：看转移特性：

同时看

实验问题

20221231

最近需要学习Ltspice，所以记录下学习过程。

建议先简单学习下Ltspice基本操作

前人写的已经很棒了给电路初学者的 LTspice操作入门教程 Step by Step - 知乎 (zhihu.com)

新建一个文件，点击Component

新建一个nmos4

再次点击component，选择两个Voltage，作为栅极与漏极电压源。放置地，并如图连线。

快捷键空格键，电路图一键居中；快捷键F5，可删除各类符号。跑步小人是Run。

鼠标右键点击电压源名字V1 V2，改名VGS、VDS

点击Run，设置DC Sweep。

先设置VGS，linear扫，从0V到5V，中间间隔1V，共6组电压；

设置VDS， linear扫，从0V到6V，间隔可不填，程序自动生成较平滑曲线。

设置完点击ok，并Run（先设置1st Source为VDS，默认IdVd曲线，不同VGS输出多个IdVd曲线）

 实验结果：鼠标在下图箭头处，左键点击漏端测电流，直接出现绘图结果：

先设置VDS 间隔1V，后设置VGS，间隔不填；同上述

.dc VGS 0 5 VDS 0 6 1

设置完点击ok（先设置1st Source为VGS，默认IdVg曲线，不同VGS输出多个IdVg曲线）

没发现怎么同时看，毕竟要设置Increment。

1. 测转移时，没法看输出曲线

答：正常

实验2中：右键点击绘图区，点击Add Traces。添加I（Vds）或者Id，和Vgs。可绘制转移曲线。此处确实无法选择Vds数据。

2. 我不想用默认的mos，能自行设置吗

可以。右键点击电路符号，进入设置

改完，Run一下，确实跟之前默认的电流不一样了。

 3. 这种mos现实能用吗，此仿真无意义

本人小白，此处介绍本人学习过程中的测试MOS的操作。

具体现实的标准MOS，往往先通过实际MOS管的测试得到数据后（可用工艺参数，也见过直接用实验数据的），经过提取spice model，再导入到spice软件中作为一个model使用。如果你是做材料器件方向，想仿真自己的器件，需要自行建立spice model。以后本人学到那一步再分享吧。

此外，各生产MOS管的厂商也有相应型号的spec及参数，甚至spice model，因此找到你所需要的器件，下载其spice model再使用是最方便的。

如说的有错，请各位大佬不吝赐教！

PS：CSND富文本太难用了