随机存储器（RAM）是指存储单元的内容可按需随机取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。

顺序存储器（SAM）是指存储单元的内容只能依地址顺序访问，且访问的速度与存储单元的位置有关的存储器，如磁带存储器就是顺序存储器。

直接存取存储器（DAM）是指既不像随机存储器那样能随机地访问任一存储单元，也不像顺序存储那样完全按顺序访问存储单元的一类存储器。这类存储器兼有随机存储器和顺序存储器的访问特性。磁盘属于直接存储器，寻道和找扇区的过程与RAM相似，在扇区内读写数据的过程同SAM相似。

读写存储器和只读存储器（ROM）随机存储器是既能读出又能写入信息的存储器，故称为读写存储器。而有些存储器中的内容不允许随意改变，只能读出其中的内容，这种存储器称为只读存储器。

哈弗结构是指数据和指令分别存放，这也是第一级缓存的构造原理。

存储系统层次结构由Cache 、主存、辅助存储器三级体系构成

位扩展:地址线并联,数据线串联,片选线直接相连;字扩展:数据线并联,地址线并联,片选线分别接到地址译码器的输出端

局部性原理：时间局部性——现在被访问的信息不久以后还再次被访问；空间局部性——现在访问的信息的周围信息将在将来被访问

存储字长是一个单元能存放的二进制位数的最大值；一般应该是字节的整数倍，与存放的数据类型无关‘

寻址范围=存储器容量/字长换算得到的字节数

访问16K的空间需要多少根地址总线？16000=11111010000000答案是14根

访问16K的空间需要多少根译码输出线？ 由上图可知，需要2^8根

动态存储器为什么比静态存储器更慢？ 答：首先，静态存储器的主要原件是三极管，而动态存储器的主要原件是电容，相对于电容三极管更加灵敏；其次，对于输出信息方面，动态存储器是通过测量电容电压相对于边界电压大小来判断输出是0还是1，而静态存储器只需要测量输出电压和标准0福特电压的相对大小（正负）就可以得到输出；最后，静态存储器有持续供电，信息存储时效长，而动态存储器需要通过刷新来补充电荷，每次读写需要花费一定时间。

计数器的模就是计数器输出的状态数目

DRAM地址线做了复用，只需要SRAM的一半即可

集中刷新保持了存储器的高速特性，不足是存在死时间；异步刷新方式既保持了存储单体的高速特性，也不存在死时间

只做位扩展时，所有存储芯片的片选信号都固定接0;根据字扩展选择片选信号的位数

读操作也具有刷新功能

DRAM三种刷新方式的比较