利用感应耦合在较低温度下形成等离子体进行化学气相沉积薄膜生长。其主要特点是：离子能量和离子电流密度分别控制，典型的工艺压强：1-10 毫托，等离子体密度：大约5×1011/cm2，等离子体和衬底相接触，沉积过程中离子电流的能量低，离子电流(等离子体密度)取决于ICP的功率，ESS(静电屏蔽)功能做到真正的感应耦合，ICP是完全自动匹配(2个射频自动匹配单元)。典型应用有：面向剥离技术的低温沉积，低温沉积超高质量二氧化硅、氮化硅和碳化硅，低温沉积多晶硅。 备注：1,样品表面有电镀金属的情况下，严禁预约使用。 2,预约时间规定：周一至周四为低温工艺（75℃及以下），周五为高温工艺，如有客户预约高温工艺，则周五下班时设备降温，中间时间不单独降温。