技术职称：副教授

所获学位：博士

研究方向：

第三代半导体材料GaN基光电子器件及TCAD仿真

1、发光器件（LED、RCLED)  2、功率器件GaN FET（HEMT）

联系电话： 13950168810

电子邮箱： [email protected] [email protected]

教育经历：

1、1995.09-1999.06  闽南师范大学，物理教育，本科

2、2006.09-2011.07  厦门大学，微电子学与固体电子学专业，工学博士学位

科研项目：

1、 紫外发光器件结构设计研发，横向课题， 2022-2024，主持。

2、 半导体器件发光特性关键技术研发ZK-HX200907， 横向课题，2020-2022， 主持。

3、 福建省教育厅A类重点项目，用于GaN基发光器件的谐振腔研究（JA12249），主持。

4、 厦门理工学院高层次人才项目，谐振腔对发光二极管性能的影响（YKJ11026R），主持。

5、 国家自然科学基金，具有铜电极的氧化物TFT中的铜原子扩散及其抑制方法研究，参与。

6、 国家自然科学基金，硅基红外焦平面器件的原位纳米横向生长应变复合衬底研究，参与。

主要论文:

Li-E Cai, Chao-Zhi Xu, et al.,Improved performance of InGaN/AlGaN multiple-quantum-well Near-UV light-emitting diodes with convex barriers and staggered wells[J].Phys. Status Solidi A 2022, 2200316.PHYSICA STATUS SOLIDI A, (2022).(SCI论文)

Li-E Cai, et al., Effect of Barrier Thickness on Photoelectric Properties of InGaN/GaN asymmetric Multiple-Quantum-Well Structure Light Emitting Diode[J].AIP Advances 12, 065007 (2022); doi: 10.1063/5.0087666.(SCI论文)

Li-E. Cai, Chao-Zhi Xu, et al.,Improved carrier confinement and distribution in InGaN light-emitting diodes with three-layer staggered QWs[J].AIP Advances 11, 075027 (2021); doi: 10.1063/5.0054062. (SCI论文)

许潮之，蔡丽娥*等人，InGaN/GaN耦合量子阱结构光电性质改善的物理机制研究[J]. 厦门理工学院学报，2021，29（3）：37-42.

蔡丽娥*，张保平，张江勇，沈汉鑫，朱文章，“GaN基蓝光VCSEL的制备及光学特性” ，发光学报，卷37, 期4：65-69（2016） (EI论文)

王霏， 吕雪芹， 丁鼎，蔡丽娥，“785nm便携式光栅外腔可调谐半导体激光器的研制和输出特性” 光谱学与光谱分析，卷37, 期2：612-617（2017）

Hong-Yi Lin, Nigel Copner, Dong Sun, Li-E Cai, Wen-Zhang Zhu, "Dual-wavelength CW a-cut Nd:YVO4 laser at 1064.3 and 1066.7 nm", Optik 127 (2016) 9073–9075 (SCI论文)

Hong-Yi Lin, Xiao-Hua Huang, Ying-Chao Xu,Xian-Guo Meng, Li-E Cai, "Mid-infrared, wide-tunable, continuous-wave Nd:YVO4/PPMgLN intracavity optical parametric oscillator", Optik, 0030-4026, 125：6969–6971,2014 (SCI论文)

M. Chen, B. P. Zhang*, L. E. Cai, J. Y. Zhang, L. Y. Ying and X. Q. Lv,"Auto-Split Laser Lift-Off Technique for Vertical-Injection GaN-Based Green Light-Emitting Diodes", IEEE Photonics Journal, 5， 8400407 (2013) (SCI论文)

M. Chen, W. J. Liu, L. E. Cai, J. Y. Zhang, L. Sun, M. M. Liang, X. L. Hu, X. M. Cai, F. Jiang, X. Q. Lv, L. Y. Ying, Z. R. Qiu and B.P.Zhang*. "Fabrication of Veritcal-structured GaN-Based Light-Emitting Diodes Using Auto-Split Laser Lift-Off Technique", Electrochemical and Solid State Letters, 1，Q26-Q28 (2012)

L. E. Cai, B. P. Zhang, J. Y. Zhang, C. M. Wu, F. Jiang, X. L. Hu, M. Chen, Q. M. Wang "Improvement of efficiency droop of GaN based light emitting devices by a rear nitride reflector", Physica E 43, 289-292(2010). (SCI论文)

L. E. Cai, J. Y. Zhang, B. P. Zhang, S. Q. Li, D. X. Wang, J. Z. Shang, F. Lin, K. C. Lin, J. Z. Yu and Q. M. Wang, “Blue-green optically pumped GaN-based vertical cavity surface emitting laser”, Electronics Letters 44, 972 (2008). (SCI论文)

Hong-Yi Lin, Xiao-Hua Huang, Ying-Chao Xu, Xian-Guo Meng, Li-E Cai，“Mid-infrared, wide-tunable, continuous-wave Nd:YVO4/PPMgLN intracavity optical parametric oscillator”， Optik, 0030-4026, 125：6969–6971（2014） (SCI论文)

F. Jiang, L. E. Cai, J. Y. Zhang, B. P. Zhang, "Formation of high reflective Ni/Ag/Ti/Au contact on p-GaN", Physica E 42, 2420–2423(2010). (SCI论文)

J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang, X. L. Hu, F. Jiang, J. Z. Yu, Q. M. Wang, "Efficient hole transport in asymmetric coupled InGaN multiple quantum wells", Appl. Phys. Lett. 95,161110(2009) (SCI论文)

J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang*, S. Q. Li et a1, "Blue-Violet Lasing of Optically Pumped GaN-Based Vertical Cavity Surface Emitting Laser With Dielectric Distributed Bragg Reflectors", Journal of Lightwave Technology 27, 55 (2009). (SCI论文)

J. Z. Shang, B. P. Zhang, M. H. Mao, L. E. Cai, J. Y. Zhang, Z. L. Fang, B. L. Liu, J. Z. Yu, Q. M. Wang, K. Kusakabe and K. Ohkawa, “Growth behavior of AlInGaN films”, Journal of Crystal Growth, 311, 474 (2009). (SCI论文)

J. Y. Zhang,  L. E. Cai, B. P. Zhang,  S. Q. Li,  F. Lin,  J. Z. Shang,  D. X. Wang,  K. C. Lin,  J. Z. Yu,  Q. M. Wang,  "Low threshold lasing of GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with an asymmetric coupled quantum well active region", Appl. Phys. Lett 93, 191118 (2008). (SCI论文)

J. Z. Shang, B. P. Zhang, C. M. Wu, L. E. Cai, J. Y. Zhang, J. Z. Yu and Q. M. Wang, “High Al-content AlInGaN epilayers with different thicknesses grown on GaN-Sapphire templates”, Applied Surface Science 255, 3350 (2008). (SCI论文)

发明专利：  

张保平;蔡丽娥;刘宝林;余金中;王启明；大功率半导体微腔发光二极管，专利号：ZL200910110947.7。

张保平，蔡丽娥，张江勇，江方；GaN基外延薄膜自分裂转移方法，专利号：ZL201110458460.5。

张江勇;张保平;王启明;蔡丽娥;余金中；一种氮化物发光器件及其制备方法，专利号：ZL200910111571.1。

张保平 陈明 蔡丽娥 张江勇 应磊莹；自分裂GaN基外延薄膜转移方法,专利号：ZL 201310057538.1。

实用新型专利：

蔡丽娥 黄金满 黄国伟 朱海安 林世光；一种锂电材料自动输送装置，专利号：ZL201822008264.8。