由于主控一致，A100与TR200的区别集中在了闪存颗粒上，A100 240G使用了四颗TH58TFG9UHLTA2D闪存，TR200 240G使用了8颗TC58TFG8T23TA0D闪存。

从编号分析可以看到，东芝在A100上使用的15nm 2D TLC闪存已经达到了与64层堆叠3D TLC相同的256Gb单Die容量，这也正是东芝将3D闪存推迟至今的一个原因：东芝的2DTLC容量就已经非常高了。

TR200使用的BiCS3闪存虽然单Die容量也是256Gb，内部芯片面积会更小，写入性能也会更高一些。这一点从HDTune文件基准测试中可以看到，除了写入速度更快之外，3D闪存的TR200在读取速度稳定性上表现也更好。

再来看PC Mark 8存储测试，这是家用实际使用性能的比拼，首先是A100 240G：

虽然和A100主控相同，凭借3D闪存在性能上的优势，东芝TR200的性能表现比A100更高，与Q300达到了同等的主流级水平，因而获得了作为TR150（Q300的OCZ换标款）换代产品的定位。

当然，东芝3D闪存相比上代2D闪存的优势还不仅与此，凭借最高512Gb的单Die容量与TSV硅通孔封装工艺，东芝制造出了单颗1TB容量的闪存颗粒，并将其用在了XG5-P NVMe固态硬盘当中，1TB容量起步，M.2单面布局即可实现2TB容量。

性能方面，XG5-P持续读写达到3000/2200 MB/s，随机读写320K/265K IOPS，让笔记本与台式机都能体验到野兽般的性能与容量。

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