【科研干货】紫外可见吸收(UV

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【科研干货】紫外可见吸收(UV

2023-06-01 05:31| 来源: 网络整理| 查看: 265

大家好,我是小马同学friendly!今天给大家带来电池常用表征-紫外可见吸收测试(UV-vis)原理及作图分析,一起来学习吧!

首先我们来了解一些基本知识:

紫外吸收光谱和可见吸收光谱都属于分子光谱,它们都是由于价电子的跃迁而产生的。利用物质的分子或离子对紫外和可见光的吸收所产生的紫外可见光谱及吸收程度可以对物质的组成、含量和结构进行分析、测定、推断。

在紫外吸收光谱中,电子的跃迁有σ→σ*、n→σ*、π→π*和n→π*四种类型

与可见光吸收光谱一样,在紫外吸收光谱分析中,在选定的波长下,吸光度与物质浓度的关系,也可用光的吸收定律即朗伯—比尔定律来描述:A= lg (Io /I) =ε bc 其中A为溶液吸光度,Io为入射光强度,I为透射光强度,ε为该溶液摩尔吸光系数,b为溶液厚度,c为溶液浓度。

带隙是导带的最低点和价带的最高点的能量之差,也称能隙。带隙越大,电子由价带被激发到导带越难,本征载流子浓度就越低,电导率也就越低。

(α hv)1/m=B(hν-Eg) 直接带隙:m=1/2;间接带隙:m=2;α为吸收系数,B为常数,hv为光子能量,h 为普朗克常数=4.1356676969×10-15 eV·s,ν 为入射光子频率,Eg表示半导体禁带宽度(带隙)。

1.导入我们测试的数据(波长和强度,分别作X、Y),选择绘制折线图,并修改线条粗细,点类型,颜色,修改标题等等:

吸收带边应该与PL出峰位置相差不多哦

2.根据切线法求带隙:首先添加两列,设置C列为1240除以A列,D列为(B*C)^2,将C列设置为新的X轴,D作Y轴,绘制新的折线图,然后在最陡峭的地方,绘制切线,如图所示。

在半导体中,带隙越小,吸收的光子应该越多,相应的电池器件电流应该越大。

今天的分享到这里就结束了,也比较简单,大家如果有什么疑问或者补充,都可以留言或者私信。我还建立了钙钛矿太阳能电池交流群,大家可以进群互相学习进步~

最后希望大家多多关注,点赞支持,后续会继续带来一系列的表征方法,谢谢大家!!!

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