分立元件搭建自举电路解析 |
您所在的位置:网站首页 › 电路图的g是什么意思 › 分立元件搭建自举电路解析 |
分立元件搭建自举电路-上桥mos驱动
高端MOS为什么要自举电路自举电容分立元件搭建自举电路
高端MOS为什么要自举电路
众所周知MOS是电压型驱动,只有G极比S极高一个开启电压Vth之后,MOS才会导通(这里指NMOS)。但是如下图。我用了12V给G极,但是由于R7流过电流的时候存在压降(欧姆定律)。导致S极被抬高。所以我给到MOS的驱动电压是G-S=12-8.42=3.58V。在不是低压MOS中,一般datasheet建议使用10V,或者12V来进行驱动,虽然3.58V也能进行导通,但是导通电阻Rds会比用10V驱动时大很多。带来MOS发热的问题。 我用几个电路电路图来进行说明自举电容电路。 第二阶段:当S1A闭合,S2B断开的时候,MOS的S极电压是0V,G极电压是12V,所以MOS正常导通,电流逐渐流过R7形成压降,MOS的S极电压逐渐升高(如上图的绿色曲线)。但是由于电容C1的特性,本来电容左边是12V,电容右边是0V,但是电容右边的电压上升的时候,可以理解为电池串多一节,负极电压上升,正极电压也会上升(他们的压差一直保持12V),所以PR4点(二极管阴极)电压上升到了24V,由于二极管的存在,电流不能流向电源。所以二极管后的电压保持在了24V,所以开关闭合后,驱动MOS的G电压-S电压=12V。达到了MOS导通的很好的条件。 基本的概念有了,就可以用真实的电路图代替进行分析。上图是我借鉴了网上的资料做的一个BUCK电源。由于BUCK在MOS导通阶段S极是浮地的。所以必须加上自举电路来驱动。 具体分析如下。 XFG1信号发生器高电平时,Q2导通,由于Q2导通,给Q1的b极提供回路,Q1导通,经过D2和R2给MOS进行充电(Q4的b极是高电平,因为R3流过电流形成压降,所以Q4也是关闭的)。MOS导通。 XFG1信号发送器低电平时,Q2关闭,由于Q2关闭,Q1的b极没有回路,Q1关闭,这时Q4的b极有R3这个回路,所以Q4导通,MOS的G极放电。MOS关闭。 |
今日新闻 |
推荐新闻 |
CopyRight 2018-2019 办公设备维修网 版权所有 豫ICP备15022753号-3 |