本文研究了第一个成功演示的单元间集成的600伏4H-SiC侧向双向MOSFET（LBiDMOS），它有潜力被集成到单片高压集成电路芯片以及独立器件中。LBiDMOS的单元格通过采用共漏结构将两个SiC MOSFET单元格背靠背连接构建而成。除了单元格设计外，LBiDMOS的周边设计也被优化以确保在正向和反向方向上的阻断能力。制造出的LBiDMOS在两个栅极的控制下展现出对称的双向传输、输出和阻止特性。在两个方向上都实现了超过600伏的击穿电压。

本文的创新点有：

·首次成功演示了单元间集成的600伏4H-SiC侧向双向MOSFET（LBiDMOS）。 ·通过采用共漏结构将两个SiC MOSFET单元格背靠背连接构建而成LBiDMOS的单元格。 ·通过在中间共享n漂移区域并省略漏极终端，创造了一种新颖高效的结构。 ·除了单元格设计外，LBiDMOS的周边设计也被优化以确保在正向和反向方向上的阻断能力。 ·在两个栅极的控制下，制造出的LBiDMOS展现出对称的双向传输、输出和阻止特性。 ·在两个方向上都实现了超过600伏的击穿电压。

研究人员进行了实验来制造和测试LBiDMOS器件，然后分析结果以得出关于其性能和潜在应用的结论。本文主要关注LBiDMOS器件的设计、制造和表征。

本文的结论是，具有新型单元格结构的单元间集成的600伏4H-SiC侧向双向MOSFET（LBiDMOS）展现出对称的传输、输出和阻止特性，并且在适当的周边设计下，在正向和反向方向上均可实现超过600伏的击穿电压。结果显示出未来设备性能提高和实际应用的有很大的潜力。研究人员建议进一步优化器件设计，以提高LBiDMOS的击穿电压和其他特性。