内存条：光威（Gloway）16GB DDR4 3200MHz，普条，无马甲，无RGB

原厂颗粒：镁光（Micron）MT40A2G8-062E                                                      

默认时序：22-22-22-52 CR1

0，查看默频和延迟

影响内存性能的五个重要参数分别是：CL，tRCD，tRP，tRAS，tRC，它们分别代表时序的不同概念，宏观上来看，这几个数值一般是越小越好，所以内存超频的常用策略不外乎于提高频率和压低时序这两种做法。

使用AIDA 64软件对该内存条进行测试，测得读写性能分别在23000MB/s左右徘徊，这是由于在AMD 3900x以下的处理器都是单die运行，因此它们的读写速率减半；默频内存延迟Latency是95.4ns，同时C22也是比较高的时序，因此该内存条还有很大的性能优化空间。

1，本着支持国货的立场，在狗东入了两条光威内存条16G 3200 DDR4，还以为能抽到便宜大碗的国产合肥长鑫的颗粒，用台风查了该内存的详细参数信息：光威贴牌，Micron镁光颗粒，颗粒型号是MT40A2G8??-062E:?，时序是22-22-22-52-73，频率是3200Mhz，SPD1.1版本，不支持XMP自动超频，但是可以在BIOS进行手动超频，嘿嘿~

2，由于台风软件无法完全识别出该颗粒的完整型号，于是前往Micron官网下载了它们的DDR4 SDRAM 器件手册，映入眼帘的就是MT40A2G8闪存颗粒型号。

继续下拉手册，找到了-062E后缀型号的默认频率是3200Mhz，默认时序是22-22-22，满足光威贴牌内存条的参数，最终确认颗粒型号就是镁光生产的MT40A2G8-062E！老激动了！

3，镁光颗粒命名规则

以这款使用了镁光颗粒MT40A2G8-062E的光威内存条为例。第1，2位，表示厂标，MT表示镁光；第3，4位表示内存颗粒的代数，这里是40，表示的是DDR4的颗粒；第5位，表示电压，这里是A，表示电压1.2v；第6，7，8位，这里是2G8，表示2Gb*8速率。“062”表示内存颗粒的速度性能，对应器件手册的DDR4-3200Mhz 22-22-22，“E”则表示颗粒的生产批次或等级，这里是E，可视为E-die。

4，内存颗粒天梯图（拓展知识）

目前比较体质比较好的内存颗粒大概就是三星的B-die，镁光的E-die C9B，海力士的CJR这几种了，希望终有一天，合肥长鑫也能让老百姓用上高性价比的颗粒，核心技术不再受制于人。啊对了，人们常说的镁光E-die，一般特指C9B颗粒，并不是本文提及到的MT40A2G8。除了某些劣质颗粒以外，大多数用户对内存的性能其实感知并不强，所以普通用户用着稳定，不蓝屏死机就行了，没必要追求这么多花里胡哨的东西。

5，花里胡哨的东西（正片开始）

在花费了半个篇幅终于将内存颗粒的型号确定后，就可以着手准备内存超频的前期工作了。熟悉我的朋友都知道，我目前在用的主力电脑就是蓝天NH55，没错，就是当年那台宣称可以装入AMD Ryzen zen2 3950x的笔记本，得益于蓝天在OEM模具的多年深耕，在解锁BIOS之后，我们就可以通过BIOS去修改CPU、显卡、内存的频率等参数。（还没解锁BIOS的请去看我写的第二篇教程，传送门：蓝天NH55AC解锁BIOS高级菜单）

说是这样说，但在实际操作的过程中还是有蛮大风险的，有以下几点需要说明：

在BIOS中，允许用户修改CPU电压和主频，但是内存只允许修改频率，内存电压默认为1.2v，且不可以修改。

在BIOS中，FCLK频率是内存频率的一半。例如，要设置超频后的频率是3400Mhz，则FCLK频率必须修改成为1700Mhz。

在BIOS中，电压采用十六进制表示。例如，若要设置电压为1.1v，则BIOS需要键入0x48，其转换关系如下图所示（重要！牢记！）

6，超频方法

这里提供两种超频方法，分别是AMD Ryzen Master（简称，RM）和BIOS超频，两者各有优缺点。RM超频相对安全，重启开机后会自动清除RM的设置，若需要长期保存超频的设置，则需要每次开机都要启动RM进行超频，或者使用BIOS进行永久写入配置参数等信息，缺点就是由于操作不恰当或不熟练，十分容易造成电脑黑屏和开不了机。因此，若要进行BIOS超频，请移步：蓝天NH55笔记本救砖系列教程（先开个坑，有空再写

7，RM超频

打开AMD Ryzen Master软件，鼠标单击左上角的创作模式Creator Mode，在这个模式之下，用户可以手工修改内存的默认频率和时序；然后，在内存控制的选项卡Memory Control中，打开Couple Mode的开关，将默认频率1600Mhz拉升到1700Mhz，对应的是3400Mhz内存频率。紧接着，在RM软件下方的DRAM Timing Configuration选项卡，将CL、tRCD、tRP、tRAS、tRC分别设置成20、20、20、40和60；最后在底部点击Apply，重启开机。

8，BIOS超频

在BIOS主菜单进入AMD CBS > XFR Enhancement，将FCLK频率设置为1700Mhz，最大电压SOC OVERCLOCK VID设置成1.1v，用十六进制表示是0x48，其余选项不要更改（这一步很重要，电压不能设置过低，否则就会变砖！）。

回到BIOS主菜单界面，选择进入AMD CBS > UMC Common Options > DRAM Timing Configuration页面，需要将Overclock设置成Enabled，内存的工作频率设置成1700Mhz，分别将CL、tRP、tRCD在BIOS设置成14h clk，tRAS设置成28h clk，其余参数不要改变，最后按F10保存BIOS并重启电脑。

十六进制数14h和28h分别表示十进制数20和40，为了便于理解，其换算过程如图所示。

9，测试延迟

使用AIDA64对超频后的内存进行测试，内存延迟Latency是85.6ns，比超频前降低了10ns。同时，可以直观地看到内存频率是1696Mhz，时序变更为20-20-20-40 CR1，说明超频成功。

CPU-Z查看时序，20-20-20-40-60

10，稳定性测试

使用MemTest和TemPro对超频后的内存条进行30min的稳定性测试，若在测试过程中内存没有被检测出错误，或是电脑出现蓝屏死机等情况，则证明超频后的内存可在3400Mhz，时序20-20-20-40下稳定运行，整个超频过程到这里就已经完成了。总的来说，内存超频就是在拉高频率的前提下压低时序，以便降低内存到CPU传输数据的延迟，从而提高效率。要问为什么不把时序压得更低一点，我只能说这对于笔记本平台来说要求属实太苛刻了，而且内存电压只能恒定1.2v，不具备往上超的潜力，毕竟，稳定压倒一切。

补充更新（20220613）

今天又加了第二条光威16G DDR4 默频3200Mhz的内存条，组了双通道，把频率拉到了3600Mhz，时序调整成为 20-19-19-35 ，CL压到20已经是极限了，没法再往下压了。

AMD Ryzen Master 小参如下：可以看到，我把CAS Latency 值设置成19之后，CPU-Z还是显示CL值是20，说明这条内存条的时序最低只能压到20，将频率超到了1800Mhz，也就是3600Mhz，接下来我们可以来跑一跑AIDA64的内存测试。

使用AIDA64测试内存延迟，可以明显地得出结论：双通道内存的Read/Copy速率增加了一倍，单通道是23000MB/s，双通道直接就变成49328MB/s，延迟来到了76.7ns，比单通道超频后降了10ns，比单通道未超频降低了30ns，因此，在组双通道内存并且压低时序和适当提升一下频率，还是可以比较大的程度上发挥内存条的潜力的。