位扩展指的是用多个存储器器件对字长进行扩充，指的是用多个存储器器件对字长进行扩充。

如用2个16K * 4bit芯片组成16K * 8bit的存储器。

这是一块8k * 1bit的存储器芯片；

CS表示片选线；

WE表示读写控制线；

1bit表示存储单元的大小为1bit，而且因为这样的存储体是有限制的，一次只能使一个存储单元有效，在这样的芯片里一次只能传输1bit数据，所以数据线只需要一根就够了，也就是这里的D0；

8k表示8k个存储单元，8k对应二进制权值为2^13，也就是说需要13根地址线，也就是这里的A0……A12；

这里使用了高电平有效的工作模式。

这是一块CPU：

下面通过CPU控制存储单元，同时进行位扩展：

字扩展指的是增加存储器中字的数量。

如用4个16K * 8bit芯片组成64K * 8bit存储器。

如下图的话，因为这两块芯片同时工作，而且数据线连接到CPU中的数据线都是一样的，所以两块存储器芯片同时传输的话数据就会混乱，CPU无法区分接收到的数据是哪块芯片的。

所以为了避免这种结果，就不能让两块存储器芯片同时开始工作，这里CPU中A13 ~ A15还没有用到，就可以通过这几个地址信号来传递控制信息到存储器芯片的片选线，

假设，用A13来控制第一片存储器芯片的工作，用A14来控制第二片存储器芯片的工作。

第一种方法：

但是这种方法有个弊端，就是：

例如，此时需要第一片存储器芯片开始工作，A13就为1，A14就为0。

同理，如果需要第二片存储器芯片开始工作，A13就为0，A14就为1。

第一片存储器芯片地址：

第二片存储器芯片地址：

但是通过接入译码器，可以优化这种n条线对应n个片选信号的映射关系，优化为n条线对应2^n个片选信号。

  例如：第一块芯片开始工作：   第二块芯片开始工作：   第三块芯片开始工作： ……

高电平有效时的译码器与存储器芯片（下图暂时忽略使能端）：

低电平有效时的译码器与存储器芯片：

无圈的使能端输入高电平开始工作，有圈的使能端输入低电平开始工作：

常见的译码器一般有多个使能端状态，只有在无圈的使能端输入高电平，同时在有圈的使能端输入低电平，才能使译码器开始工作：

例如在如下状态下译码器是无法工作的：

所以，第二种方法就是：

下面举两个例子，

一根选线控制两块芯片：

比如在这里只有两片存储器芯片的情况下，只用A13就可以控制两块芯片哪块开始工作，A13为1时，第一片芯片工作，A13为0时，第二片芯片工作。

（注：图中三角为非门）

此时第一片存储芯片地址：

第二片存储芯片地址：

下面是用两根线控制4块芯片，

可以选用A13和A14：

当然不一定选择只规定选择A13和A14作为选线，可以选择地址线外任意线，例如下面选择的是A13和A15，与之对应的地址也会发生变化，但是因为A14也会出现在地址中（A14无论0或1都可以，访问的都是同一个存储单元），正因如此地址的位数超过了存储器所能容纳的最大容量，所以这样的设计在实际应用中会出现问题的，一般都是选择最近的相邻高位作为选线。

为什么说选线法的地址空间不连续呢？

因为选线法在所有选线中只能有一个在工作，也就是说假设在高电平有效时，选线中只能有一根线是1，

举个例子：假设两根选线控制两块芯片，选线只能有01、10两种情况，没有00和11，所以对应到地址中就会变得不连续。

而译码片选器的n条线可以体现出的状态是全0到全1连续变化的，所以地址空间可以连续变化。

1、求地址数时为什么要加1？

例如：

0～9一共十个数 = 9-0+1 = 10个数

2、如何选择选片信号？

74LS138译码器：

以低位占用的最多的这种存储器为准，向它的高位选三位。

3、选完地址信号和选片信号后剩下的位数怎么办？

剩下蓝色部分的10可以作为移码器的使能端。