碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列产品基于6英寸晶圆平台开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。

应用领域：新能源汽车电机控制器、车载电源、光伏逆变器、光储一体机、充电桩、UPS、PFC电源等领域。

产品优势

碳化硅MOSFET

Voltage

RDS(on)

(mΩ)

TO-247-3

TO-247-4

TO-247PLUS-4

TO-263-7

SOT-227

1200V

160

B2M160120H‍

B‍2M160120Z‍

B2M160120R‍

80

B2M080120H‍

AB2M080120H‍‍

B2M080120Z‍‍

AB2M080120Z

B2M080120R‍‍

AB2M080120R

65

B2M065120H

B2M065120Z

B2M065120R

40

B2M040120H

B2M040120Z‍

AB2M040120Z

B2M040120R‍

AB2M040120R

32

B2M032120Y

*B2M030120Z

20

B2M020120Y

18

*B2M018120Z

*B2M018120N

B2M011120HK

B2M012120N

9

*B2M009120Y

*B2M009120N‍

600

B2M600170H

B2M600170Z

B2M600170R

样品申请‍‍‍

2000V

24

Coming soon

      : Automotive

      * : Under development, to be released.