1.MOS管的并联对走线的规定

大伙儿了解，好几个MOS管并联，漏极和源极的布线都必须根据好几个MOS管的总电流，理论上测算，假如要做到单独MOS管的电流不偏位均值电流的10%，那麼系统总线上的总特性阻抗一定要操纵在全部MOS管并联后的内阻的10%之内。例如过50A的电流，由大家的RU75N08R 4颗并联, RU75N08典型性是8米Ω,并联后便是2 mΩ，那麼漏极或源极的布线电阻器必须操纵在2 mΩ*10%=0.2 mΩ之内才可以确保10%的均流出现偏差的原因。假如PCB铜泊薄厚和总宽比较有限，我们可以加焊铜心线或根据散热器做到这一低的布线内阻。

2.MOS管并联的可行性方案

由下边的某颗MOS管的温度曲线图能够看得出MOS管的内阻的温度特点是随温度的上升内阻也扩大，假如在并联全过程中因为种种原因（例如RDSON较为低，电流途径较为短等）造成 某颗MOS管的电流较为大，这颗MOS管会发烫情况严重，内阻会上升比较多，电流便会降下去，从而能够剖析出MOS管有全自动均流的特点而便于并联。

3.MOS管的并联电源电路

理论上MOS管能够由N颗并联，事实上MOS管并联多了非常容易造成布线较长，遍布电感器电容器增加，针对高频电路工作中造成不好的危害。下边以4颗为例子表明MOS管的运用。并联的一般原理图以下

从图中，R1-4为栅极驱动器电阻器，每一个MOS管都由单独的栅极驱动器电阻器防护驱动器，主要是能够避免 每个MOS管的寄生振荡，具有减振的功效。R1-4的取值如何取呢？假如取值过小，很有可能就起不上避免 每个MOS管的寄生振荡的功效，假如取值变大，电源开关速率会减缓，因为每一个MOS管的结电容会出现微小的不一样，結果取值过大还会继续造成 每个MOS管的通断速率相距较为大，因此 R1-4在可以避免 每个MOS管的寄生振荡的状况下尽可能小到能够考虑电源开关速率。

有关R5-R8的栅极下拉电阻，关键功效是在驱动器IC毁坏引路的状况下能够避免 MOS管的欺诈通。在一些独特的运用场所下，例如看待机电流有限定的电池保护板，这一电阻器通常取值非常大乃至沒有，那样栅极的特性阻抗会较为高，非常容易磁感应较为高的静电感应毁坏MOS管的栅极。这类运用在栅源极中间并联一个15V上下的稳压极管，这样就起到保护作用。

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