微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用 mobi epub pdf txt 电子书 下载 2024 |
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韩雁，丁扣宝 著
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发表于2024-07-15 类似图书 点击查看全场最低价 图书介绍 出版社： 电子工业出版社 ISBN：9787121193422 版次：1 商品编码：11198235 包装：平装 丛书名： 微电子与集成电路设计系列规划教材 开本：16开 出版时间：2013-03-01 页数：284 字数：513000 正文语种：中文 相关图书 图书描述 编辑推荐 《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》不仅能帮助高等学校微电子学、电子科学与技术或其他相关专业的研究生、高年级本科生和企业设计人员掌握TCAD技术，而且也可以作为从事功率器件和集成电路片上ESD防护设计专业的科技工作者的重要参考资料。 内容简介 《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》主要内容包括：半导体工艺及器件仿真工具Sentaurus TCAD，工艺仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具MEDICI，工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD，工艺及器件仿真工具ISE-TCAD，工艺仿真工具（DIOS）的优化使用，器件仿真工具（DESSIS）的模型分析，片上（芯片级）ESD防护器件的性能评估，ESD防护器件关键参数的仿真，VDMOSFET的设计及仿真验证，IGBT的设计及仿真验证等。 目录 第1章 半导体工艺及器件仿真工具Sentaurus TCAD1.1 集成工艺仿真系统 Sentaurus Process1.1.1 Sentaurus Process工艺仿真工具简介1.1.2 Sentaurus Process基本命令介绍1.1.3 Sentaurus Process 中的小尺寸模型1.1.4 Sentaurus Process仿真实例1.2 器件结构编辑工具Sentaurus Structure Editor1.2.1 Sentaurus Structure Editor（SDE）器件结构编辑工具简介1.2.2 完成从Sentaurus Process到SentaurusDevice的接口转换1.2.3 创建三维结构1.3 器件仿真工具Sentaurus Device1.3.1 Sentaurus Device器件仿真工具简介1.3.2 Sentaurus Device主要物理模型1.3.3 Sentaurus Device仿真实例1.4 集成电路虚拟制造系统SentaurusWorkbench简介1.4.1 Sentaurus Workbench（SWB）简介1.4.2 创建和运行仿真项目参考文献第2章 工艺仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具MEDICI2.1 TSUPREM-4的工艺模型介绍2.1.1 扩散模型2.1.2 离子注入模型2.1.3 氧化模型2.1.4 刻蚀模型2.2 TSUPREM-4基本命令介绍2.2.1 符号及变量说明2.2.2 命令类型2.2.3 常用命令的基本格式与用法2.3 双极晶体管结构的一维仿真示例2.3.1 TSUPREM-4输入文件的顺序2.3.2 初始有源区仿真2.3.3 网格生成2.3.4 模型选择2.3.5 工艺步骤2.3.6 保存结构2.3.7 绘制结果2.3.8 打印层信息2.3.9 完成有源区仿真2.3.10 最终结果2.4 半导体器件仿真工具MEDICI简介2.4.1 MEDICI的特性2.4.2 MEDICI的使用2.4.3 MEDICI的语法概览2.5 MEDICI实例1——NLDMOS器件仿真2.6 MEDICI实例2——NPN三极管仿真参考文献 第3章 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD3.1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真3.1.1 概述3.1.2 创建一个初始结构3.1.3 定义初始衬底3.1.4 运行ATHENA并且绘图3.1.5 栅极氧化3.1.6 提取栅极氧化层的厚度3.1.7 栅氧厚度的最优化3.1.8 完成离子注入3.1.9 在TonyPlot中分析硼掺杂特性3.1.10 多晶硅栅的淀积3.1.11 简单几何刻蚀3.1.12 多晶硅氧化3.1.13 多晶硅掺杂3.1.14 隔离氧化层淀积3.1.15 侧墙氧化隔离的形成3.1.16 源/漏极注入和退火3.1.17 金属的淀积3.1.18 获取器件参数3.1.19 半个NMOS结构的镜像3.1.20 电极的确定3.1.21 保存ATHENA结构文件3.2 使用ATLAS的NMOS器件仿真3.2.1 ATLAS概述3.2.2 NMOS结构的ATLAS仿真3.2.3 创建ATLAS输入文档3.2.4 模型命令组3.2.5 数字求解方法命令组3.2.6 解决方案命令组参考文献 第4章 工艺及器件仿真工具ISE-TCAD4.1 工艺仿真工具DIOS4.1.1 关于DIOS4.1.2 各种命令说明4.1.3 实例说明4.2 器件描述工具MDRAW4.2.1 关于MDRAW4.2.2 MDRAW的边界编辑4.2.3 掺杂和优化编辑4.2.4 MDRAW软件基本使用流程4.3 器件仿真工具DESSIS4.3.1 关于DESSIS4.3.2 设计实例4.3.3 主要模型简介4.3.4 小信号AC分析参考文献 第5章 工艺仿真工具（DIOS）的优化使用5.1 网格定义5.2 工艺流程模拟5.2.1 淀积5.2.2 刻蚀5.2.3 离子注入5.2.4 氧化5.2.5 扩散5.3 结构操作及保存输出参考文献 第6章 器件仿真工具（DESSIS）的模型分析6.1 传输方程模型6.2 能带模型6.3 迁移率模型6.3.1 晶格散射引起的迁移率退化6.3.2 电离杂质散射引起的迁移率退化6.3.3 载流子间散射引起的迁移率退化6.3.4 高场饱和引起的迁移率退化6.3.5 表面散射引起的迁移率退化6.4 雪崩离化模型6.5 复合模型参考文献 第7章 TCAD设计工具、仿真流程及ESD器件的性能评估7.1 ESD防护设计要求及TCAD辅助设计的必要性7.2 工艺和器件TCAD仿真软件的发展历程7.3 工艺和器件仿真的基本流程7.4 TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例7.4.1 半导体工艺级仿真流程7.4.2 从工艺级仿真向器件级仿真的过渡流程7.4.3 半导体器件级仿真的流程7.5 利用瞬态仿真对ESD综合性能的定性评估7.5.1 TCAD评估基本设置7.5.2 有效性评估7.5.3 敏捷性评估7.5.4 鲁棒性评估7.5.5 透明性评估7.5.6 ESD总体评估参考文献 第8章 ESD防护器件关键参数的仿真8.1 ESD仿真中的物理模型选择8.2 热边界条件的设定8.3 ESD器件仿真中收敛性问题解决方案8.4 模型参数对关键性能参数仿真结果的影响8.5 二次击穿电流的仿真8.5.1 现有方法局限性8.5.2 单脉冲TLP波形瞬态仿真方法介绍8.5.3 多脉冲TLP波形仿真介绍参考文献 第9章 VDMOSFET的设计及仿真验证9.1 VDMOSFET概述9.2 VDMOSFET元胞设计9.2.1 结构参数及工艺参数9.2.2 工艺流程9.2.3 工艺仿真9.2.4 器件仿真9.2.5 器件优化9.3 VDMOSFET终端结构的设计9.3.1 结构参数设计9.3.2 工艺仿真9.3.3 器件仿真9.3.4 参数优化9.4 VDMOSFET ESD防护结构设计9.4.1 ESD现象概述9.4.2 VDMOSFET中的ESD结构…… 前言/序言 随着微电子技术的发展，半导体工艺水平和器件性能不断提升，这其中半导体工艺和器件仿真软件TCAD（Technology Computer Aided Design）的作用功不可没。TCAD是建立在半导体物理基础之上的数值仿真工具，它可以对不同工艺条件进行仿真，取代或部分取代昂贵、费时的工艺实验；也可以对不同器件结构进行优化，获得理想的特性；还可以对电路性能以及电缺陷等进行模拟。 技术进步伴随着设计复杂性的增加，导致了TCAD软件功能及其使用越来越复杂。作者结合多年的微电子器件设计和工艺设计的经验，尤其是在功率器件和集成电路片上ESD（静电放电）防护器件方面所做的课题研究，编写了本书，以满足研究和设计工作所需。 本书内容主要分两部分：第一部分是主流TCAD软件及其使用介绍，第二部分是TCAD技术的相关模型分析、优化使用方法及在集成电路片上ESD防护器件设计和功率半导体器件设计中的应用。 通过学习本书，你可以： 利用数值模拟技术进行半导体工艺及器件性能仿真 熟悉工艺仿真工具的优化使用 设计集成电路片上ESD防护器件 设计功率半导体器件 在较短时间内以很小的代价设计出合乎要求的半导体器件 本书侧重于TCAD技术的应用，选取了主流TCAD软件，每部分的主体设计流程均经过了流片和测试验证，并已用于实际科研工作中，具有较强的代表性和实用性。 本书不仅能帮助高等学校微电子学、电子科学与技术或其他相关专业的研究生、高年级本科生和企业设计人员掌握TCAD技术，而且也可以作为从事功率器件和集成电路片上ESD防护设计专业的科技工作者的重要参考资料。 教学中，可以根据教学对象和学时等具体情况对书中的内容进行删减和组合，也可以进行适当扩展。为适应教学模式、教学方法和手段的改革，本书配套多媒体电子课件及相应的网络教学资源，请登录华信教育资源网注册下载。 本书由浙江大学韩雁教授统筹及定稿，并负责其中第1、2、3、4、7、9和10章的编写，丁扣宝副教授负责第5、6、8章的编写。该书在编写过程中还得到了浙江大学微电子与光电子研究所多名师生的帮助，他们是：黄大海、张世峰、张斌、崔强、王洁、洪慧、胡佳贤、韩成功、彭洋洋、马飞和郑剑锋等。作者在编写的过程中也参考了其他有关文献资料。在此一并表示真诚的感谢。 由于作者学识和水平有限，加之TCAD的版本在不断更新发展，错漏之处敬请读者批评指正。 韩雁、丁扣宝 2013年1月于浙大求是园 微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用 下载 mobi epub pdf txt 电子书 格式 微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用 mobi 下载 pdf 下载 pub 下载 txt 电子书 下载 2024微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用 下载 mobi pdf epub txt 电子书 格式 2024 微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用 下载 mobi epub pdf 电子书 想要找书就要到 图书大百科 book.qciss.net 立刻按 ctrl+D收藏本页 你会得到大惊喜!! 用户评价 评分☆☆☆☆☆挺好 评分☆☆☆☆☆该书适合有一定半导体基础的人士阅读，如果该书能够结合实例来展开分析，效果会更好。例如结合LED、PN结等工程实例来展开讲解，会显得更加详实。 评分☆☆☆☆☆印刷质量很好，内容丰富，参考系强! 评分☆☆☆☆☆当然书本身没有问题，但是参考价值实在太低了。建议有想买的朋友还是多看看软件手册吧，绝对比这本书有价值10W倍啊！ 评分☆☆☆☆☆全书介绍了几种常用TCAD软件，几乎是每一节讲一种TCAD工具。 评分☆☆☆☆☆当然书本身没有问题，但是参考价值实在太低了。建议有想买的朋友还是多看看软件手册吧，绝对比这本书有价值10W倍啊！ 评分☆☆☆☆☆蛮不错的一本书，对微电子专业来说很有参考价值 评分☆☆☆☆☆入门级别的书，可以读一下 评分☆☆☆☆☆蛮不错的一本书，对微电子专业来说很有参考价值 类似图书 点击查看全场最低价微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用 mobi epub pdf txt 电子书 格式下载 2024 |
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