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半导体制造的常用名词

发表于:2023-5-0717:10 作者:luhaoxinglhx 来源:半导体技术天地

Ingot-Acylindricalsolidmadeofpolycrystallineorsinglecrystalsiliconfromwhichwafersarecut.

晶锭-由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。

LaserLight-ScatteringEvent-Asignalpulsethatlocatessurfaceimperfectionsonawafer.

激光散射-由晶圆片外表缺陷引起的脉冲信号。

Lay-Themaindirectionofsurfacetextureonawafer.

层-晶圆片外表构造的主要方向。

LightPointDefect(LPD)(Notpreferred;seelocalizedlight-scatterer)

光点缺陷(LPD)〔不推举使用，参见“局部光散射”〕

Lithography-Theprocessusedtotransferpatternsontowafers.

光刻-从掩膜到圆片转移的过程。

LocalizedLight-Scatterer-Onefeatureonthesurfaceofawafer,suchasapitorascratchthatscatterslight.Itisalsocalledalightpointdefect.

局部光散射-晶圆片外表特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。

Lot-Wafersofsimilarsizesandcharacteristicsplacedtogetherinashipment.

批次-具有相像尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。

MajorityCarrier-Acarrier,eitheraholeoranelectronthatisdominantinaspecificregion,suchaselectronsinanN-Typearea.

多数载流子-一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子，例如在N型中是电子。

MechanicalTestWafer-Asiliconwaferusedfortestingpurposes.

机械测试晶圆片-用于测试的晶圆片。

Microroughness-Surfaceroughnesswithspacingbetweentheimpuritieswithameasurementofless

than100μm.

微粗糙-小于100微米的外表粗糙局部。

MillerIndices,ofaCrystallographicPlane-Asystemthatutilizesthreenumberstoidentifyplanorientationinacrystal.

Miller索指数-三个整数，用于确定某个并行面。这些整数是来自一样系统的根本向量。

MinimalConditionsorDimensions-Theallowableconditionsfordeterminingwhetherornotawaferisconsideredacceptable.

最小条件或方向-确定晶圆片是否合格的允许条件。

MinorityCarrier-Acarrier,eitheraholeoranelectronthatisnotdominantinaspecificregion,suchaselectronsinaP-Typearea.

少数载流子-在半导体材料中不起支配作用的移动电荷，在P型中是电子，在N型中是空穴。

Mound-Araiseddefectonthesurfaceofawafermeasuringmorethan0.25mm.

堆垛-晶圆片外表超过0.25毫米的缺陷。

Notch-Anindentontheedgeofawaferusedfororientationpurposes.

凹槽-晶圆片边缘上用于晶向定位的小凹槽。

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