数据统计：中金企信国际咨询

②全球半导体设备行业发展情况：2013年以来，随着全球半导体行业整体景气度的提升，半导体设备市场也呈增长趋势。根据中金企信统计数据，全球半导体设备销售额从2013年的约318亿美元增长至2020年的712亿美元，年均复合增长率约为12.20%。由于半导体专用设备行业对制造工艺和标准要求严格，行业进入的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒较高，全球半导体设备市场集中度较高。目前全球前十大半导体设备制造商主要集中在美国、日本和荷兰。中金企信统计数据显示，2020年全球半导体设备前十名厂商合计实现销售收入708亿美元，市占率为76.63%。中国半导体设备厂商因发展起步较晚，目前尚未进入全球行业前列。全球半导体设备龙头厂商情况如下：

数据统计：中金企信国际咨询

③中国半导体设备行业发展概况：

A、中国大陆成为全球第一大半导体设备需求市场：从需求端分析，2013-2020年半导体设备在大陆销售额的年复合增长率达到27.59%，2020年在全球半导体市场大幅下跌的态势下依然逆势增长，在中国大陆的销售额达到187.2亿美元，发展势头良好。

根据中金企信市场调研资料，我国投产、在建和规划的38条八英寸晶圆制造线中，已经量产的有19条，宣布投产的有5条，在建项目有10条，规划中的项目有4条。其中宣布投产的月产能总计22.5万片，在建项目规划月产能总计37.2万片。受益于中国大陆地区晶圆厂建设加速推进，中国大陆半导体设备市场需求快速增长。

2019年、2020年，中国大陆市场约占全球半导体设备市场比例分别为22.51%、26.30%。中国大陆已成为全球第一大半导体设备需求市场，具体情况如下：

数据统计：中金企信国际咨询

B、顶尖设备仍依赖进口：2020年中国大陆已经成为最大的半导体设备市场，但全球前十五名设备商中尚没有中国企业。中国半导体设备明显落后于美国、荷兰、日本等国。2020年国产半导体设备销售额约为213亿元，自给率约为17.5%，其中集成电路设备自给率仅有5%左右，技术含量最高的集成电路前道设备则自给率更低，与不断增长的需求市场形成了较大的缺口，国产化率增长空间巨大。中国半导体设备大量依赖进口不仅严重影响我国半导体的产业发展，也对我国电子信息安全造成重大隐患，中国半导体设备国产替代、自主可控需求迫切。

C、半导体设备发展趋势向好：集成电路尺寸及线宽的缩小、产品结构的立体化及生产工艺的复杂化等因素都对半导体设备行业提出了更高的要求和更多的需求。尺寸缩减趋势重点推动光刻设备的进步，3D结构化趋势重点推动刻蚀、薄膜设备的进步。两因素共同推动了集成电路整体结构的复杂化，进而推动化学机械研磨、清洗、离子注入、检测等其他设备的进步，并为半导体核心装备的发展提供了广阔的市场空间。

除此之外，功率器件、光电子等领域市场的发展和市场需求的提升，也将不断刺激半导体设备市场需求。受多个下游市场需求增长的共同驱动，半导体设备市场预计将持续保持增长势头，市场前景良好。2021年7月，SEMI发布《半导体制造设备年中总预测》，预测原始设备制造商全球半导体制造设备销售额相比2020年的711亿美元，2021年增长34%至953亿美元，2022年将创下超过1,000亿美元的新高。

中金企信国际咨询公布的《2022-2028年中国半导体设备市场调研及发展趋势预测报告》

（3）半导体薄膜沉积设备的发展情况：

①半导体薄膜沉积设备行业发展情况：

A、薄膜沉积设备市场规模持续增长：根据中金企信统计数据，全球半导体薄膜沉积设备市场规模从2017年的125亿美元扩大至2020年的172亿美元，年复合增长率为11.2%。预计至2025年市场规模可达340亿美元。

2017-2025年全球半导体薄膜沉积设备市场规模分析

数据统计：中金企信国际咨询

B、薄膜沉积设备国产化率低：我国半导体设备经过最近几年快速发展，在部分领域已有一定的进步，但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低，具体如下：

半导体薄膜沉积设备行业基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的5%提升至2020年的8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。

C、各类薄膜沉积设备发展态势：从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看，CVD设备占比56%，PVD设备市占率23%，其次是ALD及其他镀膜设备。

半导体薄膜沉积设备分析

数据统计：中金企信国际咨询

在半导体制程进入28nm后，由于器件结构不断缩小且更为3D立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。

中金企信国际咨询专业编制《半导体薄膜沉积设备项目商业计划书》为企业投融资、项目立项、银行贷款申请、批地申请等提供专业化优质服务。

②ALD技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况：ALD技术在高k材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。

A、ALD典型应用——高介电常数金属栅极（HKMG）工艺：晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元，漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入65nm及之前，集成电路主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介电质减少漏电；随着集成电路尺寸不断缩小，特别是制程28nm之后，传统的SiO2栅介质层物理厚度缩小至1纳米以下，达到了其物理极限，产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化。

通过引入高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，可以解决上述问题，即采用高k材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层，TiN替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极，高k栅氧化层与金属栅极的组合使用，不仅能够大幅减小栅极漏电流，同时因高k栅氧化层的等效氧化物厚度较薄，还能有效减低栅极电容。

传统多晶硅栅极/SiO2介质层与HKMG结构对比：

ALD技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点，自从英特尔在45nm技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后，就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。

B、ALD典型应用——电容和电极材料：集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入量产阶段，128层闪存也陆续有厂商开始推出，行业预期未来将叠加至500层，技术工艺还会持续推进。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽，而且需要增加堆叠的层数，使得一些器件结构的深宽比增加至40：1，甚至是80：1的极深孔或极深的沟槽，对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。

存储芯片结构演变（以NAND为例）

ALD技术最早应用于DRAM存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着3DNAND和DRAM相关技术的不断发展，等效氧化物厚度进一步下降，3DNAND和DRAM电容呈现高深宽比结构，在这种情况下，高k电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的ALD技术才可以满足。除此之外，新型存储器也在快速发展，与闪存和DRAM相比，新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器（Fe RAM）为例，其由电容和场效应管构成，其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜，该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求，ALD技术可以较好地满足技术指标。

C、ALD典型应用——金属互联阻挡层：金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种，而在铜互连中采用ALD的主要驱动力在于随着制程进步、TSV等先进封装工艺的发展，元件集成度提高、几何构架收缩，导致深宽比的增加，ALD技术能够沉积尽可能薄的阻挡层，阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散，且作为粘附层促进互连铜的生长，给铜沉积留出最大的空间。

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③半导体薄膜沉积设备发展趋势：

A、半导体行业景气度带动设备需求增长：随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与3DNAND存储技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。

B、进口替代空间巨大：近年来，在国家政策的拉动和支持下，我国半导体产业快速发展，整体实力显著提升，设计、制造能力与国际先进水平不断缩小，但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。《中国制造2025》对于半导体设备国产化提出明确要求：在2020年之前，90-32nm工艺设备国产化率达到50%，实现90nm光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前，20-14nm工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，国家集成电路基金首期募资1,387亿元，二期募资超过2,000亿元。

伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机，而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。

C、薄膜要求提高衍生设备需求：在晶圆制造过程中，薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂，薄膜性能参数精细化要求也随之提高，如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高，台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的ALD设备因此被引入产线。

D、先进制程增加导致设备市场攀升：随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在90nmCMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序。在3nmFinFET工艺产线，则超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。

目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，PVD设备与CVD设备均已初步实现国产化，而ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时，与PVD设备和CVD设备相比，ALD设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全考虑，国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势，以及国产化进程加快的背景下，国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。

半导体薄膜沉积设备项目可行性研究报告

项目可行性报告

中金企信国际咨询公司拥有10余年项目可行性报告撰写经验，拥有一批高素质编写团队，卓立打造一流的可行性研究报告服务平台为各界提供专业可行的报告。

项目可行性报告用途

1、企业投融资

此类研究报告通常要求市场分析准确、投资方案合理、并提供竞争分析、营销计划、管理方案、技术研发等实际运作方案。

2、项目立项

此文件是根据《中华人民共和国行政许可法》和《国务院对确需保留的行政审批项目设定行政许可的决定》而编写，是大型基础设施项目立项的基础文件，国家发改委根据可行性研究报告进行核准、备案或批复，决定某个项目是否实施。另外医药企业在申请相关证书时也需要编写可行性研究报告。

3、银行贷款申请

商业银行在贷款前进行风险评估时，需要项目方出具详细的可行性研究报告，对于国内银行，该报告由甲级资格单位出具，通常不需要再组织专家评审,部分银行的贷款可行性研究报告不需要资格，但要求融资方案合理，分析正确，信息全面。另外在申请国家的相关政策支持资金 、工商注册时往往也需要编写可行性研究报告，该文件类似用于银行贷款的可研报告。

4、申请进口设备免税

主要用于进口设备免税用的可行性研究报告，申请办理中外合资企业、外资企业项目确认书的项目需要提供项目可行性研究报告。

5、境外投资项目核准

企业在实施走出去战略，对国外矿产资源和其他产业投资时，需要编写可行性研究报告报给国家发展和改革委或省发改委，需要申请中国进出口银行境外投资重点项目信贷支持时，也需要可行性研究报告。

6、政府资金项目申报

企业为获得政府的无偿资助，需要对公司项目进行策划、设计、技术创新、技术规划等，编写的可行性研究报告包含管理团队、技术路线、方案、财务预测等，是政府无偿资助的项目申报的主要依据。

项目可行性报告分类

可行性研究报告分为：政府审批核准用可行性研究报告和融资用可行性研究报告。

（1）审批核准用的可行性研究报告侧重关注项目的社会经济效益和影响；具体概括为：政府立项审批，产业扶持，中外合作、股份合作、组建公司、征用土地。

（2）融资用报告侧重关注项目在经济上是否可行。具体概括为：银行贷款，融资投资、投资建设、境外投资、上市融资、申请高新技术企业等各类可行性报告。

中金企信国际咨询公司以专业的服务理念、完善的售后服务体系为各界提供精准、权威的项目可行报告。

【报告说明】

　　可行性研究报告，简称可研，是在制订生产、基建、科研计划的前期，通过全面的调查研究，分析论证某个建设或改造工程、某种科学研究、某项商务活动切实可行而提出的一种书面材料。

项目可行性研究报告主要是通过对项目的主要内容和配套条件，如市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等，从技术、经济、工程等方面进行调查研究和分析比较，并对项目建成以后可能取得的财务、经济效益及社会影响进行预测，从而提出该项目是否值得投资和如何进行建设的咨询意见，为项目决策提供依据的一种综合性的分析方法。

可行性研究具有预见性、公正性、可靠性、科学性的特点。可行性研究报告是确定建设项目前具有决定性意义的工作，是在投资决策之前，对拟建项目进行全面技术经济分析论证的科学方法，在投资管理中，可行性研究是指对拟建项目有关的自然、社会、经济、技术等进行调研、分析比较以及预测建成后的社会经济效益。

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《半导体薄膜沉积设备融资可行性报告》

《半导体薄膜沉积设备行业市场调查分析及投资前景预测》等报告课题，具体请咨询中金企信国际信息咨询有限公司。

由于可行性研究报告属于订制报告，以下报告目录仅供参考，成稿目录可能根据客户需求和行业分类有所变化。

第一章 总 论

1.1项目概况

1.1.1项目名称

1.1.2建设性质

1.1.3项目承办单位及负责人

1.1.4项目建设地点

1.2项目建设目标

1.3项目建设内容与规模

1.4项目投资估算与资金筹措

1.4.1项目建设总投资

1.4.2资金筹措

1.5项目主要财务经济指标

1.6可行性研究依据

1.7研究范围

第二章 项目建设背景

2.1项目建设背景

2.2项目建设必要性

第三章 市场分析与市场定位

第四章 项目区建设条件

4.1概况

4.2区域经济条件

4.3区域交通网络

第五章 项目建设方案

5.1总体规划

5.1.1设计依据

5.1.2规划设计构思

5.1.3指导原则

5.1.4规划目标

5.2建设规模

5.3主要建设内容

第六章 环境影响评价

6.1环境保护执行标准

6.2施工期环境影响分析

6.2.1施工期污染源

6.2.2施工期环境影响分析

6.3项目建成后环境影响分析

6.3.1大气污染源分析

6.3.2水污染源分析

6.3.3环境保护措施

第七章 劳动安全卫生与消防

7.1卫生防疫

7.2消防

7.2.1消防给水系统

7.2.2防排烟系统

7.2.3电气消防

第八章 节能节水措施

8.1节能

8.1.1设计依据

8.1.2能源配置与能耗分析

8.1.3节能技术措施

8.2节水

8.2.1水环境

8.2.2绿化景观用水节水

第九章 项目组织管理与实施

9.1项目组织管理

9.1.1项目组织机构与管理

9.1.2人力资源配置

9.2项目实施安排

9.3议标

第十章 投资估算与资金筹措

10.1投资估算

10.1.1估算依据

10.1.2投资构成及估算参数

10.1.3投资估算

10.2资金筹措

10.3资金使用计划

第十一章 效益分析

11.1财务评价的依据和原则

11.2基础数据及参数选取

11.3财务效益与费用估算

11.3.1年销售收入估算

11.3.2产品总成本及费用估算

11.3.3利润及利润分配

11.4财务分析

11.4.1财务盈利能力分析

11.4.2财务生存能力分析

11.5不确定性分析

11.6.1盈亏平衡分析

11.6.2敏感性分析

11.6财务评价结论

11.7社会效益分析

第十二章 结论与建议

附 表

附表1 销售收入预测表

附表2 总成本表

附表3 外购原材料表

附表4 外购燃料及动力费表

附表5 工资及福利表

附表6 利润与利润分配表

附表7 固定资产折旧费用表

附表8 无形资产及递延资产摊销表

附表9 流动资金估算表

附表10 资产负债表

附表11 资本金现金流量表

附表12 财务计划现金流量表

附表13 项目投资现金量表

附表14 借款偿还计划表

商业计划书

商业计划书撰写目的

商业策划书，也称作商业计划书，目的很简单，它就是创业者手中的武器，是提供给投资者和一切对创业者的项目感兴趣的人，向他们展现创业的潜力和价值，说服他们对项目进行投资和支持。因此，一份好的商业计划书，要使人读后，对下列问题非常清楚：

1、公司的商业机会；

2、创立公司，把握这一机会的进程 ；

3、所需要的资源；

4、风险和预期回报；

5、对你采取的行动的建议；

6、行业趋势分析。

撰写商业计划书的七项基本内容

一、项目简介

二、产品/服务

三、开发市场

四、竞争对手

五、团队成员

六、收入

七、财务计划

商业策划书用途

1、沟通工具

2、管理工具

3、承诺工具返回搜狐，查看更多