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太阳电池辐射损伤效应是一种累积效应，会造成电池性能的下降，工程上用太阳电池输出参数的变化（短路电流Isc、开路电压Voc和最大功率Pmax）来评估太阳电池辐射效应。工程上一般用等效1MeV电子注量描述太阳电池辐射损伤，即研究其它能量的电子和质子相对1MeV电子对太阳电池的相对损伤效力，将对太阳电池损伤有贡献的所有粒子的强度折算为1MeV电子的注量。只要利用1MeV电子束（这是地面实验室容易获得的）测试具体的太阳电池的电参数的退化随注量的关系，根据预测出的等效1MeV电子注量就可预测该太阳电池在具体轨道应用时的电参数衰退。本项目的主要服务对象是航天器的设计和使用部门。我们能够预测不同轨道上任务期内的等效1MeV电子注量，可以计算的太阳电池包括硅、砷化镓、GaInP/GaAs双结和GaInP/GaAs/Ge 三结等。
要求条件：航天器轨道，发射和在轨时间，太阳电池情况。
例子：GaAs/Ge(ASEC)太阳电池月球轨道上1年累积的等效1MeV电子注量（cm-2）
玻璃厚度
注量
g.cm-2
mils
micron
Pmax
Voc
Isc
0.0000
0
0.00
1.182E+15
1.182E+15
3.584E+14
0.0056
1
25.41
4.346E+14
4.346E+14
1.850E+14
0.0168
3
76.36
1.971E+14
1.971E+14
9.935E+13
0.0335
6
152.27
1.112E+14
1.112E+14
6.518E+13
0.0671
12
305.00
7.215E+13
7.215E+13
4.671E+13
0.1120
20
509.09
4.882E+13
4.882E+13
3.445E+13
0.1675
30
761.36
3.647E+13
3.647E+13
2.739E+13
0.3350
60
1522.73
2.123E+13
2.123E+13
1.717E+13
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