随着电子产品向小型化以适应网络化和多媒体化的发展，集成电路逐渐覆盖我们生活的方方面面，而集成电路的高速发展不仅依赖于芯片设计及制造，还需要最终通过封装技术实现器件电气连接，以保证其正常运转和长期可靠性。

近年来市场对于消费电子和通信电子等的需求持续增长，扇出型封装受到市场青睐。扇出型封装维持了WLCSP轻薄短小的外形特点，良好的电性能及散热性能；同时，由于走线/管脚可以延伸于芯片之外，可以实现更好的设计灵活性，而芯片侧壁及底部的塑封材料则可以提供有效的后续工艺操作保护和使用场景可靠性保护。

图片WLCSP封装 （左） 和  扇出型封装（右）

扇出型封装面临的问题：

· 扇出型封装需要经过晶圆重构，在此过程中，需要将芯片粘附在设定位置，但是往往因机台捡取放置精度，塑封料和芯片之间在热压流动过程的互动，导致芯片偏离设计位置。

· 偏移主要会影响到后续光刻对位和布线，而又因重构晶圆在后续制作中包含塑封料、芯片、绝缘层、金属层等不同材料，热膨冷缩会导致翘曲产生，严重的晶圆翘曲甚至会导致后续制程无法进行。

· 以上问题从封装设计时便会带来诸多掣肘，特别是对于小芯片的扇出封装，在晶圆重构过程中会因有效键合面积的不足造成键合不牢从而导致异常偏移。

· 这种异常偏移情况同样在多芯片情况下也更严重。而翘曲问题导致传统封装扇出比（封装尺寸/芯片尺寸）受限或有效使用面积的下降。因此，小尺寸、大扇出比封装对于传统扇出封装工艺仍然是一个挑战。

为了应对上述问题，为封装设计提供更多的便利和灵活性，ECP (Encapsulation Chip Package) 技术由此应运而生。

ECP技术是一种Chip first, Face down先进封装工艺，与其他采用晶圆重构塑封料塑封封装工艺不同，ECP工艺并非采用液态或者粉体塑封料，取而代之使用包覆塑封膜。

除此之外，通过包覆整平工艺取代晶圆塑封以实现芯片的超薄封装。该工艺不仅可以获得平整度较高的重构晶圆，并且可以有效避免在包覆膜包覆过程中产生空洞。

另一方面相对于使用液态或者粉体晶圆塑封重构工艺，包覆整平工艺还可以有效降低芯片偏移问题，实现小尺寸芯片，大扇出比封装。

此外，得益于ECP的特殊流程和包覆膜的低模量特性，重构晶圆背面的硅片支撑体可以有效降低重构晶圆的翘曲，克服传统扇出型封装因翘曲引起的制程作业问题。

长电科技ECP工艺技术在实现扇出型，单芯片及多芯片封装的同时，还可以实现芯片的五面封装保护。并且可以有效克服晶圆翘曲问题，可以实现小尺寸芯片，大扇出比扇出封装的重大突破。

下一篇文章中，我们将对长电科技ECP封装的技术特点和优势进行详细的剖析，欢迎您继续了解和关注。