SCM（Storage Class Memory）是当前业界非常热门的新介质形态，同时具备持久化（Storage Class）和快速字节级访问（Memory）的特点。当前也有叫SCM为PM（PersistentMemory）介质或者NVM（Non-VolatileMemory）介质。SCM介质的访问时延普遍小于1µs，比当前常用的NAND FLASH快2-3个数量级，读写时也没有NAND Flash顺序写入和写前擦除的约束，操作过程更简单；同时，SCM介质的在寿命和数据保持能力方面的表现也远超NAND Flash。基于这些特点，业界普遍认为SCM会成为颠覆存储系统设计的新一代介质，并优先应用于性能和可靠性要求较高的场景。

目前在研的SCM介质种类繁多，但是比较主流的有4个大类： PCM、ReRAM、MRAM和NRAM。

**PCM（Phase-change memory）**即相变存储器，利用特殊合金材料在晶态和非晶态下的导电性差异来表示0或者1的状态。其优点是结构简单，便于实现大容量和低成本，缺点是对于高温比较敏感。PCM可用于Cache加速场景和大内存应用场景，由于其寿命和内存仍有一定差距，因此需要在系统设计上针对PCM进行优化以避免“写穿”。一个典型的设计优化是搭配DRAM，形成分级的大容量内存资源池，同时满足高性能和高可靠要求。业界SCM的典型代表为Intel和Micron联合研发的3DXpoint。从当前的技术和市场发展趋势看，3DXpoint是未来3年内最具规模商用能力的S