核心拆解：内置缓存+MGX主控

    拥有固态硬盘全套加工和制造工艺的三星，毫不例外的在此款750evo上采用了自家生产的编号为S4LN062X01-Y030第六代主控MGX，并内置256MB DDR3缓存，进一步缩小固态硬盘体积。

四分之一名片大小的电路板

新一代内置独立缓存MGX主控

    关于新一代MGX主控，官方并没有披露太多相关信息，只是轻描淡写的指出，此款主控内置了256MB DDR3独立缓存，并针对低容量版本进行随机读写性能的优化，以及支持队列TRIM指令，支持TurboWrite、支持AES-256位加密等功能。

核心器件对比图

    从图表中我们可以看到，此款750evo和定位于中高端市场的850evo采用同一款MGX主控芯片，可以简单推测出750evo的主控性能应该还不错。而在理论持续读写速度上以及4KB随机读写上，750evo的成绩和850evo几乎毫无差别，那么实际情况究竟如何？待会实测成绩再见分晓。

    而在缓存上，内置DDR3 256MB的大小，对于入门级用户而言，足以应付日常的存储需要了。