数字电子技术复习(六)

您所在的位置:网站首页 rom的与阵列和或阵列怎么区分 数字电子技术复习(六)

数字电子技术复习(六)

2024-03-03 22:38| 来源: 网络整理| 查看: 265

可编程逻辑器件 介绍

按集成度分为低、高密度可编程逻辑器件 按结构分为PLD(基本逻辑结构是与阵列和或阵列,CPLD基于乘积项技术)和FPGA(查找表技术)。 按编程工艺分为熔丝或反熔丝编程器件(PROM、PAL、PLA)、电擦写的浮栅型编程元件(GAL)、SRAM编程器件(FPGA)。

具体结构 表示方法

注意缓冲器、与或门、连线表示方法。

低密度PLD器件

由输入缓冲电路、与阵列、或阵列、输出缓冲电路及反馈支路构成。 PLD的输入缓冲电路用于增强输入信号的驱动能力、产生输入信号的原变量和反变量。

可编程只读存储器PROM

与阵列固定实现全地址译码,或阵列可编程。 若有n根输入m根输出,则PROM可以存储 2n∗m 2 n ∗ m 位二进制信息。

可编程逻辑阵列PLA

与或阵列均可编程。

可编程阵型逻辑PAL

与阵列可编程,或阵列固定。 输出结构更加灵活,有异步IO输出结构、专用输出结构、寄存器(时序输出结构)。

通用阵列逻辑器件GAL

可编程与阵列和固定的或阵列。 有一个输出逻辑宏单元(OLMC)可以确定不同的工作模式。 然而GAL只能设计同步时序电路。

CPLD结构框架

CPLD指大于1000门的复杂PLD 由逻辑阵列块(LAB,与GAL类似)、可编程连线阵列(PIA)、IO控制模块(IOCB)组成。

存储器 存储器分类 按制作工艺 双极型存储器:工作速度快MOS存储器:集成度高、功耗小、价格便宜 按信息可保存性 易失性存储器VM:RAM非易失性存储器NVM:ROM 按结构、存储数据和访问方式 随机存取存储器RAM 静态存储器SRAM 利用(一对互为反馈的倒相器组成的)双稳态触发器来保存信息。型号多以62开头。 (集成低、速度快、价格贵)动态存储器DRAM 利用电容存储电荷存放信息,写入过程是给电容充放电的过程。需要定期刷新。 只读存储器ROM 掩膜式ROM(固定ROM):芯片制造时厂家写入PROM:熔丝结构的一次性可编程ROM。EPROM:紫外线可擦除。以浮栅技术生产的可编程存储器。型号以27开关,初始全1。E2PROM:电可擦除。也是利用浮栅技术生产。Flash ROM:电可擦除可编程ROM,分为NOR和NAND两种。 存储器应用 扩展 位扩展字扩展 集成存储器与处理器接口 需要注意的问题

存储器的电压、电流和存取速度都与CPU访问时序匹配。

存储器编址

片选信号产生的三种方法: - 线选法:缺点是地址空间没有被充分利用,适用于外扩接口较少的微处理器。 - 全地址译码:缺点是需要的地址译码电路较复杂。 - 部分地址译码:电路较简单,但存在地址重叠现象。

与51单片机连接

地址总线:P0口通过锁存器提供低8位,P2口提供高8位 数据总线:P0口分时复用,宽度8位。 控制总线:锁存信号ALE、片外程序存储器读信号PSEN,片外数据读写信号WR、RD。



【本文地址】


今日新闻


推荐新闻


CopyRight 2018-2019 办公设备维修网 版权所有 豫ICP备15022753号-3