目录

MOS管种类

MOS管结构和工作原理

NMOS管增强型结构

NMOS管增强型工作原理 

阈值电压VTN和截止区

可变电阻区

 恒流区形成

I-V特性曲线及特性方程

总结

NMOS耗尽型 

与NMOS增强型区别

I-V特性曲线及特性方程

总结

PMOS增强型 

与NMOS增强型区别

I-V特性曲线及特性方程

PMOS耗尽型 

与PMOS增强型区别

MOS管符号 

增强型和耗尽型区分

PMOS和NMOS区分

g，s，d如何区分

MOS管从导电载流子来看，有N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET，常称为NMOS管和PMOS管。而按照导电沟道形成机理不同，它们又各自分为增强型E型和耗尽型D型两种。因此MOS管有四种：增强型PMOS管，增强型NMOS管，耗尽型PMOS管，耗尽型NMOS管。

先看上面两张图，第一张是NMOS管的结构图，第二张是NMOS管的纵剖面图。看起来密密麻麻的字，很让人看的心烦。

从下往上讲，简单来说就是：

⑴衬底是参杂了P型硅半导体，然后在这个衬底的两端加入了两块N型半导体。

⑵中间这个沟道没有满足条件的时候是没有的（图一是满足了条件的时候，图二是没有满足条件的时候），先不要管他，后面会讲，你直接把他看成是P型衬底的一部分即可。

⑶在P型衬底上方增加了三块很薄的二氧化硅绝缘层（最两边两个白色部分，和标有tox的白色部分）。

⑷在最上面加上三个铝电极（最上面三个黑色的部分），用于导电。这三块铝电极分别称为栅极g（gate），源极s（source），漏极d（drain）。

因为我们形成的沟道是带负电的电子，所以我们将这个MOS管称之为NMOS管。

根据上面的结构图和纵剖面图我们知道，场效应其实就是两个方向相反的二极管的组合（如下图）。中间是P型半导体，两边是N型半导体，最后形成方向相反的两个二极管。

因为二极管具有单向导通的特性，所以现在我们在漏极d和源极s之间增加电压，无论电压方向如何都是不会有电流的。

 于是我们尝试在栅极g处增加电压，电池正极接g，负极接衬底和s极，衬底和s极作为零电势点。（如下图）

⑴因为电池的负极接衬底，衬底又是P型半导体，里面具有大量的空穴会吸引电子，所以现在P型半导体中有一定量的电子。⑵又因为栅极g连接了正极，而栅极g和P型半导体之间的绝缘层很薄，可以产生一个的电场，这个时候P型半导体中的自由电子就会逐渐聚集在两个N型半导体中间，当电压越多，聚集在两个N型半导体中间的自由电子越多。⑶当电子超过一定数量的时候，N沟道就形成了，而这个时候的电压，我们称为VTN。

现在我们知道沟道形成需要Vgs≥VTN，而Vgs