N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。

对于MOS管一样，只是电压驱动，Vgs>Vt(启动电压),就可以导通，Vgs越大，最大导通电流越大（满足一定条件）

MOS管和三极管区别：

1. MOS管电压驱动；三极管电流驱动

2.MOS输入阻抗高；三极管输入阻抗低

3. MOS管使用场合高频高速，大电流。 例如电源开关，恒流源等

N沟道箭头朝内，P沟道箭头朝外

　　功率场效应管(Power MOSFET) 也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。

一、电力场效应管的结构和工作原理

　　电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。

　　电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同，但结构有很大区别。小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件，导电沟道平行于芯片表面，横向导电。电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构，提高了器件的耐电压和耐电流的能力。按垂直导电结构的不同，又可分为2种：V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET。

　　电力场效应晶体管采用多单元集成结构，一个器件由成千上万个小的MOSFET组成。N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图，如图1(a)所示。电气符号，如图1(b)所示。

　　电力场效应晶体管有3个端子：漏极D、源极S和栅极G。当漏极接电源正，源极接电源负时，栅极和源极之间电压为0，沟道不导电，管子处于截止。如果在栅极和源极之间加一正向电压UGS，并且使UGS大于或等于管子的开启电压UT，则管子开通，在漏、源极间流过电流ID。UGS超过UT越大，导电能力越强，漏极电流越大。

二、电力场效应管的静态特性和主要参数

　　Power MOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。{{分页}}

1、 静态特性

（1） 输出特性

　　输出特性即是漏极的伏安特性。特性曲线，如图2(b)所示。由图所见，输出特性分为截止、饱和与非饱和3个区域。这里饱和、非饱和的概念与GTR不同。饱和是指漏极电流ID不随漏源电压UDS的增加而增加，也就是基本保持不变；非饱和是指地UCS一定时，ID随UDS增加呈线性关系变化。

（2） 转移特性

　　转移特性表示漏极电流ID与栅源之间电压UGS的转移特性关系曲线，如图2(a)所示。转移特性可表示出器件的放大能力，并且是与GTR中的电流增益β相似。由于PowerMOSFET是压控器件，因此用跨导这一参数来表示。跨导定义为

                          （1）

　　图中UT为开启电压，只有当UGS=UT时才会出现导电沟道，产生漏极电流ID。

2、  主要参数

（1）       漏极击穿电压BUD

　　BUD是不使器件击穿的极限参数，它大于漏极电压额定值。BUD随结温的升高而升高，这点正好与GTR和GTO相反。

（2）       漏极额定电压UD

　　UD是器件的标称额定值。

（3）       漏极电流ID和IDM

　　ID是漏极直流电流的额定参数；IDM是漏极脉冲电流幅值。

（4）       栅极开启电压UT

　　UT又称阀值电压，是开通Power MOSFET的栅-源电压，它为转移特性的特性曲线与横轴的交点。施加的栅源电压不能太大，否则将击穿器件。

（5）       跨导gm

　　gm是表征Power MOSFET 栅极控制能力的参数。

对于N沟道增强型

UgsUt时候， 处于非饱（可变电阻）区或饱和区

非饱和区：Uds