|
Описание
P CHANNEL MOSFET, -100V, 6.6A D-PAK, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-6.6A, Drain Source Voltage Vds:-100V, On Resistance Rds(on):480mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-4V , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Структура
P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
5.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.48 Ом/3.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
42
Крутизна характеристики, S
1.5
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе
-2…-4
Вес, г
0.4
Техническая документация
Datasheet IRFR9120NTRPBF
pdf, 1051 КБ
IRFR9120 datasheet
pdf, 173 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
|