都是网络制式，LTE就是现在的4G网络TD-SCDMA和WCDMA都是3G网络，其中TD-SCDMA是中国独有的，中国移动的3G网络采用这个制式，WCDMA是全世界用的最多的，出国漫游比较好的，中国联通用的是这个3G制式

2G时代\x0d\x0a那个时候都是GSM，多怀念啊，随便买个手机就能使。\x0d\x0a\x0d\x0a3G时代\x0d\x0a我艹，三个公司，三个制式，TD-SCMA、WDCMA、CDMA2000，买手机前得看好了，不同的手机支持不同的制式，对应不同的公司，使用不同的手机号。想换号？就得换手机！真特么受够了，官老爷的一个决策，老百姓折腾好几年。\x0d\x0a\x0d\x0a4G时代\x0d\x0a终于盼来啦，据说三家都支持TDD-LTE，而FDD-TLE呢听说也是国际普遍的规格，联通、电信也支持。终于可以通用了吧？？？我艹，频段不一样啊，我艹，虽然都支持TDD-LTE，但是工信部分配的频段不一样啊，坑啊！！！坑吧你就！！！我只想大声呼喊：自由！！！！！！\x0d\x0a以下你看得懂吗？\x0d\x0a中国移动获得130MHz频谱资源，分别为1880 -1900 MHz、2320-2370 MHz、2575-2635 MHz；中国联通获得40MHz频谱资源，分别为2300-2320 MHz、2555-2575 MHz；中国电信获得40MHz频谱资源，分别为2370-2390 MHz、2635-2655 MHz。\x0d\x0aTD终端有支持BAND38、BAND39、BAND33、BAND40和BAND41等多个频段，目前不同终端厂商的不同型号支持频段有一定的差异，如需使用中国联通的TD网络，终端支持的频段号需包含BAND41 TD-LTE频段，或者联通的2555-2575MHz频段。\x0d\x0aBand 38频段是Band 41的一部分。移动目前的4G手机都是支持Bands 38 39 40频段的，移动在这三个频段上都分配到了频段，Band 39这个优质低频段几乎被移动垄断，移动也几乎垄断了全部的Band 38频段，只留给联通2570-2575短短的5MHZ的频宽的Band 38，电信没有得到一丁点的Band 38频段，Band 38能让TD-LTE手机更好的支持国际漫游，因为目前一些用TD-LTE的国外运营商都用的是Band 38频段。Band 40频段移动、联通、电信都分到的，但移动分到最多的。

第三代移动通讯标准之一。通俗点最大的好处就是用手机上网速度比现在的2.5代(GPRS或CDMA)快不少。能用手机看在线视频，也可以视频电话了。

光学原理。EdispOUTCAR中最后一个Edisp对应的能量。为考虑了vdw校正，最后给出的vdw校正能量。若不设置vdw校正，则输出，PullaOUTCAR中最后一个Pullaystress对应的值。不加压计算，该值为0。stasym，dynsym，magsym，分别为staticconfiguration，dynmagneticconfiguration对应的点群。结构优化给出的能量是否可用，如果在弛豫过程中，晶格变化较小，比如晶格常数相差5%以内，晶格夹角相差5%以内，结构没有发生较大的变化，可以使用弛豫给出的体系能量做一些快速判断，比如吸附能，铁磁反铁磁能量差。更进一步，弛豫在20步以内快速收敛，且晶格变化非常小。

一、大规模天线：大规模多天线技术（Massive MIMO）被认为是5G的关键技术之一，是唯一可以十倍、百倍提升系统容量的无线技术。大规模多天线技术能够通过不同的维度（空域、时域、频域、极化域等）提升频谱利用效率和能量利用效率.

二、新型多址技术：eMBB场景的多址接入方式应基于正交的多址方式，非正交的多址技术只限于mMTC的上行场景。eMBB的多址技术将更可能采用DFT-S-FDMA和OFDMA.而华为SCMA、中兴MUSA和大唐的PDMA等将在2017年竞争mMTC的上行多址方案。

三、高频段通信需统一划定：未来5G系统将面向6GHz以下和6GHz以上全频段布局，以综合满足网络对容量、覆盖、性能等方面的要求。目前，6GHz以下的低频段拥挤不堪，6GHz以上的高频段研发不足，这是对未来海量的5G频谱需求最大的挑战。

四、新型多载波技术：5G新空口多载波技术将全面满足移动互联网和物联网的业务需求。选择新的波形类型时有许多因素要考虑，包括频谱效率、时延、计算复杂性、能量效率、相邻信道共存性能和实施成本。截至目前，业内呼声最高的3个候选技术是：F-OFDM、FB-OFDM和UF-OFDM。

五、先进编码调制：eMBB场景的上行和下行数据信道均采用flexible LDPC编码方案；eMBB场景的上行控制信道采用Polar编码方案；eMBB场景的下行控制信道倾向于采用Polar编码方案而不是TBCC（咬尾卷积码）方案；

六、全双工技术：可以使通信终端设备能够在同一时间同一频段发送和接收信号，理论上，比传统的TDD或FDD模式能提高一倍的频谱效率，同时还能有效降低端到端的传输时延和减小信令开销。全双工技术的核心问题是如何有效地抑制和消除强烈的自干扰。

七、超密集组网：超密集异构组网技术可以促使终端在部分区域内捕获更多的频谱，距离各个发射节点距离也更近，提升了业务的功率效率、频谱效率，大幅度提高了系统容量，并天然地保证了业务在各种接入技术和各覆盖层次间负荷分担

八、组网关键技术：随着软件定义网络（SDN）和网络功能虚拟化（NFV）等技术的逐步成熟，5G组网技术已能实现控制功能和转发功能的分离，以及网元功能和物理实体的解耦，从而实现网络资源的智慧感知和实时调配，以及网络连接和网络功能的按需提供和适配。

计算机设备名称英语词汇

　　计算机可以由个人需要，组合多种设备。下面是我分享的计算机设备英语名称，希望能对大家有所帮助!

　　磁盘

　　AAT(Average access time，平均存取时间)

　　ABS(Auto Balance System，自动平衡系统)

　　ASMO(Advanced Storage Magneto-Optical，增强形光学存储器)

　　AST(Average Seek time，平均寻道时间)

　　ATA(AT Attachment，AT扩展型)

　　ATOMM(Advanced super Thin-layer and high-Output Metal Media，增强形超薄高速金属媒体)

　　bps(bit per second，位/秒)

　　CAM(Common Access Model，公共存取模型)

　　CSS(Common Command Set，通用指令集)

　　DMA(Direct Memory Access，直接内存存取)

　　DVD(Digital Video Disk，数字视频光盘)

　　EIDE(enhanced Integrated Drive Electronics，增强形电子集成驱动器)

　　FAT(File Allocation Tables，文件分配表)

　　FDBM(Fluid dynamic bearing motors，液态轴承马达)

　　FDC(Floppy Disk Controller，软盘驱动器控制装置)

　　FDD(Floppy Disk Driver，软盘驱动器)

　　GMR(giant magnetoresistive，巨型磁阻)

　　HDA(head disk assembly，磁头集合)

　　HiFD(high-capacity floppy disk，高容量软盘)

　　IDE(Integrated Drive Electronics，电子集成驱动器)

　　LBA(Logical Block Addressing，逻辑块寻址)

　　MBR(Master Boot Record，主引导记录)

　　MTBF(Mean Time Before Failure，平均故障时间)

　　PIO(Programmed Input Output，可编程输入输出模式)

　　PRML(Partial Response Maximum Likelihood，最大可能部分反应，用于提高磁盘读写传输率)

　　RPM(Rotation Per Minute，转/分)

　　RSD：(Removable Storage Device移动式存储设备)

　　SCSI(Small Computer System Interface，小型计算机系统接口)

　　SCMA：(SCSI Configured Auto Magically，SCSI自动配置)

　　S.M.A.R.T.(Self-Monitoring， Analysis and Reporting Technology，自动监测、分析和报告技术)

　　SPS(Shock Protection System，抗震保护系统)

　　STA(SCSI Trade Association，SCSI同业公会)

　　Ultra DMA(Ultra Direct Memory Access，超高速直接内存存取)

　　LVD(Low Voltage Differential)

　　Seagate硬盘技术DiscWizard(磁盘控制软件)

　　DST(Drive Self Test，磁盘自检程序)

　　SeaShield(防静电防撞击外壳)

　　RAM & ROM

　　ABP： (Address Bit Permuting，地址位序列改变)

　　ATC(Access Time from Clock，时钟存取时间)

　　BSRAM(Burst pipelined synchronous static RAM，突发式管道同步静态存储器)

　　CAS(Column Address Strobe，列地址控制器)

　　CCT(Clock Cycle Time，时钟周期)

　　DB： (Deep Buffer深度缓冲)

　　DDR SDRAM(Double Date Rate，双数据率SDRAM)

　　DIL(dual-in-line)

　　DIMM(Dual In-line Memory Modules，双重内嵌式内存模块)

　　DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器)

　　DRDRAM(Direct RAMbus DRAM，直接RAMbus内存)

　　ECC(Error Checking and Correction，错误检查修正)

　　EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM，电擦写可编程只读存储器)

　　FM： (Flash Memory快闪存储器)

　　FMD ROM (Fluorescent Material Read Only Memory，荧光质只读存储器)

　　PIROM：(Processor Information ROM，处理器信息ROM)

　　PLEDM： Phase-state Low Electron(hole)-number Drive Memory QBM(Quad Band Memory，四倍边带内存)

　　RAC(Rambus Asic Cell，Rambus集成电路单元)

　　RAS(Row Address Strobe，行地址控制器)

　　RDRAM(Rambus Direct RAM，直接型RambusRAM)

　　RIMM(RAMBUS In-line Memory Modules，RAMBUS内嵌式内存模块)

　　SDR SDRAM(Single Date Rate，单数据率SDRAM)

　　SGRAM(synchronous graphics RAM，同步图形随机储存器)

　　SO-DIMM(Small Outline Dual In-line Memory Modules，小型双重内嵌式内存模块)

　　SPD(Serial Presence Detect，串行存在检查)

　　SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存储器)

　　SSTL-2(Stub Series Terminated Logic-2)

　　TSOPs(thin small outline packages，超小型封装)

　　USWV(Uncacheable， Speculative， Write-Combining非缓冲随机混合写入)

　　VCMA(Virtual Channel Memory architecture，虚拟通道内存结构)