SOC中往往会集成供应商flash芯片，但完成可靠性实验后偶尔会遇到code丢失，bit翻转等问题，接下来，我们聊一聊flash失效机理及一些可靠性实验。

要分析flash的失效机理，需要先清楚其工作机理：读、写、擦除等。

Flash分为NAND flash和NOR flash。均是使用浮栅场效应管(Floating Gate FET)作为基本存储单元来存储数据的，浮栅场效应管共有4个端电极，分别是为源（Source）、漏（Drain）、控制栅（Control Gate）和浮栅（Floating Gate），Flash与普通MOS管的主要区别在于浮栅。Flash通过浮栅注入和释放电荷表征‘0’和‘1’。当向浮栅注入电荷后，D和S之间存在导电沟道，从D极读到‘0’；当浮栅中没有电荷时，D和S间没有导电沟道，从D极读到‘1’。

NAND和NOR Flash对比如下:

热电子注入和F-N隧穿的具体机理可以参考如下资料：

https://wenku.baidu.com/view/75609a34864769eae009581b6bd97f192279bfbd.html

https://www.docin.com/p-948671103-f2.html

Flash失效按照不同的分类方式可以分为浮栅失效和结构失效。浮栅失效类似于MOS管的一般失效类型，与Flash的存储机理相关。由于Flash工作过程中F-N效应和热电子效应反复发生，会导致氧化层击穿和陷阱，引起高漏电流。结构失效可以理解为误码。

1）编程干扰

编程操作包括擦除和写入两步。一般由于Vpass过高，Vpass过低，电容性耦合失效以及过量写入导致。

Vpass过高，除需编程的cell外，其他cell中也产生了较强电场，电子进入到浮栅极的概率会提高；Vpass过小，则对于本来需要写入1的cell（1->1），Vboost的增压