(STM32)擦除闪存和写入闪存会导致HAL |
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这看起来像是一个数据对齐错误,但是不--参考手册中提到的与128位闪存行相关的错误。这个词可能只与双字书写有关,与你的情况无关。 如果您想一次编程4个字节,那么您的address需要对齐字,这意味着它需要被4整除。此外,address不是一个uint32_t* (指针),它是一个原始uint32_t,因此address++将它增加1,而不是4。据我所知,Cortex M4核心会将总线上未对齐的访问自动转换为多个较小大小的对齐访问,但这违反了闪存并行规则。 顺便说一句,只要正确对齐,执行字节、半字和字写的混合操作是完全有效的。另外,与F0、F1和F3系列的flash硬件不同,您可以尝试覆盖以前编写的位置,而不会导致错误。0->1位更改被忽略. |
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