记录一下，方便以后翻阅~ 主要内容： 1） STM32 Flash操作介绍； 2） 寄存器和库函数介绍； 3） 相关实验代码解读。 参考资料：《STM32F10xxx闪存编程参考手册》 实验功能：利用 STM32 内部的 FLASH 来实现类似I2C通讯实验的效果（参考I2C通讯实验），不过这次是将数据直接存放在STM32内部，而不是存放在W25Q128。 1. STM32 Flash操作介绍 1.1 STM32编程方式 1） 在线编程（ICP,In-Circuit Programming） 通过JTAG/SWD协议（用JLINK或ST LINK下载程序）或者系统加载程序(Bootloader)下载用户应用程序（用串口下载）到微控制器中。 2） 在程序中编程(IAP,In Application Programming) 通过任何一种通信接口(如IO端口,USB,CAN,UART,I2C,SPI等)下载程序或者应用数据到存储器中。也就是说，STM32允许用户在应用程序中重新烧写闪存存储器中的内容。然而，IAP需要至少有一部分程序已经使用ICP方式烧到闪存存储器中（Bootloader)（与系统加载程序的Bootloaer不同）。 1.2 闪存模块存储器组织 按照不同容量，存储器组织成32个1K字节/页（小容量），128个1K字节/页（中容量），256个2K字节/页（大容量）的主存储器和一些信息块等。战舰/精英板FLASH容量为512K，所以一共有256页（0-255）。 STM32的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。 1） 主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为256页，每页2K字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有1K字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000， B0、B1都接GND的时候，就是从0X08000000开始运行代码的。 2） 信息块，该部分分为2个小部分，其中启动程序代码（系统存储器），是用来存储ST自带的启动程序，用于串口下载代码，当B0接V3.3，B1接GND的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。 3） 闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。 对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理。编程与擦除的高电压由内部产生。 1.3 Flash闪存的读取 内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何32位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。例如，我们要从地址addr，读取一个半字（半字为16位，1个字为32位），可以通过如下的语句读取：

将addr强制转换为vu16指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了addr地址的值。类似的，将上面的vu16改为vu8，即可读取指定地址的一个字节。 1.4 Flash闪存的编程（写）和擦除操作 STM32的闪存编程是由FPEC（闪存编程和擦除控制器）模块处理的，这个模块包含7个32位寄存器，他们分别是： 1） FPEC键寄存器 (FLASH_KEYR) 其中FPEC总共有3个键值：RDPRT键=0X000000A5、KEY1=0X45670123、KEY2=0XCDEF89AB。 2） 选择字节键寄存器 (FLASH_OPTKEYR) 3） 闪存控制寄存器 (FLASH_CR) 4） 闪存状态寄存器 (FLASH_SR) 5） 闪存地址寄存器 (FLASH_AR) 6） 选择字节寄存器 (FLASH_OBR) 7） 写保护寄存器 (FLASH_WRPR) 1.5 Flash编程注意事项 1.5.1 STM32复位后，FPEC模块是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列到FLASH_KEYR寄存器可以打开FPEC模块（即写入KEY1和KEY2），只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。 叫Unlock。键值不正确会产生总线错误。 1.5.2 STM32闪存的编程每次必须写入16位（不能单纯的写入8位数据！），当FLASH_CR寄存器的PG位为‘1’时，在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程。写入任何非半字的数据，FPEC都会产生总线错误。 1.5.3 在编程过程中(FALSH_SR的BSY位为‘1’)，任何读写闪存的操作都会使CPU暂停，直到此次闪存编程结束。 1.5.4 STM32的FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的（也就是其值必须是0XFFFF），否则无法写入，在FLASH_SR寄存器的PGERR位将得到一个警告。 1.6 STM32 Falsh编程过程 1.6.1 检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，如果没有则先解锁； 1.6.2 检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作； 1.6.3 设置FLASH_CR寄存器的PG位为‘1’在指定的地址写入要编程的半字； 1.6.4 等待BSY位变为‘0’； 1.6.5 读出写入的地址并验证数据。 1.7 STM32 Flash擦除过程 STM32 FLASH编程的时候，要先判断所写地址是否被擦除了。闪存擦除分为两种：页擦除和整片擦除。 1.7.1 Flash页擦除过程 1） 检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，如果没有则先解锁； 2） 检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作； 3） 设置FLASH_CR寄存器的PER位为‘1’； 4） 用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页； 5） 设置FLASH_CR寄存器的STRT位为‘1’； 6） 等待BSY位变为‘0’； 7） 读出被擦除的页并做验证。 1.7.2 Flash整片擦除过程 1） 检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确定没有其他操作在进行； 2） 设置FLASH_CR寄存器的MER为1； 3） 设置FLASH_CR寄存器的STRT为1； 4） 等待BSY为0； 5） 读出所有页并验证。 1.8 Flash操作相关寄存器 1） FPEC键寄存器（FLASH_KEYR)； 2） 闪存控制寄存器（FLASH_CR)； 3） 闪存状态寄存器（FLASH_SR)； 4） 闪存地址寄存器（FLASH_AR)。 1.9 相关库函数 官方给出的库函数位于：stm32f10x_flash.c/stm32f10x_flash.h。 1.9.1 闪存操作常用库函数

1.10 Flash操作总结 1.10.1 锁定解锁函数 在对FLASH进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在FLASH_KEYR寄存器写入特定的序列（KEY1和KEY2）,固件库函数实现：

同理，在对FLASH写操作完成之后，我们要锁定FLASH：

1.10.2 写操作函数 固件库提供了三个FLASH写函数：

顾名思义：FLASH_ProgramWord为 32位字写入函数，其他分别为16位半字写入和用户选择字节写入函数。这里需要说明，32位字节写入实际上是写入的两次16位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的STM32闪存的编程每次必须写入16位并不矛盾。写入8位实际也是占用的两个地址了，跟写入16位基本上没啥区别。 1.10.3 擦除函数 固件库提供三个FLASH擦除函数：

顾名思义：第一个函数是页擦除函数，根据页地址擦除特定的页数据，第二个函数是擦除所有的页数据，第三个函数是擦除用户选择字节数据。这三个函数使用非常简单。 1.10.4 获取状态函数 主要是用的函数是：

返回值是通过枚举类型定义的：

1.10.5 等待操作完成函数 在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是：

入口参数为等待时间，返回值是FLASH的状态，这个很容易理解，这个函数本身我们在固件库中使用得不多，但是在固件库函数体中间可以多次看到。 1.10.6 读FLASH特定地址数据函数 有写就必定有读，而读取FLASH指定地址的半字的函数固件库并没有给出来，这里我们自己写的一个函数：

2. 相关实验代码解读 2.1 stmflash.h头文件代码解读

2.2 stmflash.c文件代码解读

3. 实验结果