关于Flash，官方的解释为：Flash为32位宽的存储单元，可用于存储代码和数据常量。Flash模块位于微控制器内存映射中的特定基址……。而对于我们来说，只要知道Flash闪存区是一个掉电后也不会清除的数据存储地。（相信大家对于Flash闪存也有着一定 的了解了，我也不多说废话，直接开整）

STM32芯片大致可分为小容量、中容量和大容量三种类型，在小容量和中容量系列芯片中一个扇区为1KB，在大容量系列芯片中一个扇区为2KB，为什么要说这个呢？因为Flash的擦除只能以一个扇区为最小单位擦除。因为代码也是存储在Flash区，所以各位在做项目时，最先就应该将内存分配好，我的建议是将Flash最后一个扇区用来做用户数据存储，我们甚至可以在keil配置好代码地址，这样就每次下载程序时也不会改变最后一个扇区的数据。

例：以STM32F103C6Tx的一款芯片为例（代码部分同），这个芯片拥有32KFlash存储器容量，算是小容量芯片。

如果不设置，IROM1的地址应该为：0x8000000—0x8000，0x8000转换为十进制为32768，除以1024（1KB为1024bit），刚好为32K，减去最后一个扇区1KB，31KB转换为十六进制为0x7C00，设置后就如图所示，IROM1的地址为0x8000000—0x7C00，表示keil写入代码时将不会擦除0x7C00以后的空间，数据也会得以保存。

因为嵌入式Flash模块可以直接寻址，因此读取操作十分简单，只需要找到读取的地址即可。

首先需要定义一个指针，该指针主要用来存储Flash读写的地址，__IO uint16_t数据类型表示flashPtr是一个易变的无符号的大小为16位的指针。

两行代码就可以完成对Flash的读取，只是指针的简单运用，当然在实际项目中最好加上对提取数据的校验。

写入Flash是一个相对复杂的过程，已经是在对STM芯片底层数据直接编程，废话不多说。Flash写入数据，大致可分为两个步骤，一是擦除数据、二是写入数据。在上代码前，我们先来了解几个会用到的Flash寄存器：

首先是Flash控制寄存器（FLASH_CR），主要了解第0位PG写入控制位、第1位PER擦除控制位、第6位STRT擦除触发控制位和第7位LOCK解锁控制位，再此我不过多介绍，在文章末尾我会提供STM32F103Flash编辑手册，各位自行去阅读（配合手册去理解代码事半功倍）。

其次是Flash状态寄存器（FLASH_SR），主要了解第5位EOP擦除/写入完成标志位，第0位BSYFlash擦除/写入状态位。

FPEC密钥寄存器（FLASH_KEYR），这个寄存器用来写入钥匙，Flash地址寄存器（FLASH_AR）用来写入扇区擦除的首地址。

这个是官方提供写入Flash的具体流程，每次写入前需要先判断FLASH_CR_LOCK位，当为1时可直接进行写入配置，当为0时需要先解锁才能写入配置（为什么要解锁呢？因为每次复位后FPEC（闪存编程和擦除控制器）都是被锁定的，只有解锁后才有权限），写入配置很简单只需要置位FLASH_CR_PG写入位，再把数据（16位）写入指定的地址，再检测是否写好，最后重新上锁。当然写入前需要先擦除，擦除也是同样的操作，接下来请看代码:

通过上面两个函数便可以完成对Flash的写入，当然为了方便大家理解，我代码写的很简单，到了真实项目中，我的代码只能作为你们的思路。

Flash擦除/写入千万、千万、千万不要放到主程序while循环中，因为每一块芯片由于硬件的限制对于Flash的擦除/写入都是次数限制的，一旦用完这些擦除/写入次数，芯片就报废了，当然也不用太小心，一般这个限制次数都是10万次。

Flash擦除/写入是一个比较严谨的过程，一旦出错将会导致整个程序的崩溃，所以希望大家多看看手册。

STM32F103XXFlash编辑手册：链接：https://pan.baidu.com/s/1IdWxsnysqhs6iWfW5oIhaQ

提取码：udbs