目录1、电脑的存储器有几种？电脑内存分几种 2、存储器的类型 3、存储器分为哪两种基本类型

*按照存储器距离中央处理器的信号传递路线的距离，可以分为：

（1）内存；

（2）外存 内存一般是由随机存储器（Random Access Memory）构成，用于储存运行时的应用程序；外存用于断电存储应用程序、数据资料，一般包括硬盘、磁带、闪存式大容量存储器。 **从存储器的材料和微观结构来分：

（1）集成电路晶体管电路构成的静态随机存储器SRAM，常用于缓存、寄存器等；

（2）集成电路电容构成的动态随机存储器DRAM，常用于系统内存，也有应用于缓存中；

（3）闪存（浮栅式隧道MOS结构），一般可以用于外存，少部分高速产品可以用于便携式多媒体数字产品的内存；如闪存式硬盘，又称固态盘Solid-State Disk (4)机械式磁盘，常用于大容量存储，即硬盘；早期的软盘等等

（5）磁带，常用于（流媒体）数据备份，如监控视频的记录等

（6）光盘，用于数据发布，包括一次性ROM和可一次性写入产品以及反复擦写类产品

（7）磁光盘，现已经基本淘汰 。

根据存储材料的性能及使用方法的不同，存储器有几种不同的分类方法。1、按存储介质分类：半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。下面我们就来了解一下存储器的相关知识。存储器大体分为两大类，一类是掉电后存储信息就会丢失，另一类是掉电后存储信息依然保留，前者专业术语称之为“易失性存储器”，后者称之为“非易失性存储器”。1 RAM易失性存储器的代表就是RAM（随机存储器），RAM又分SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）。SRAMSRAM保存数据是靠晶体管锁存的，SRAM的工艺复杂，生产成本高，但SRAM速度较快，所以一般被用作Cashe，作为CPU和内存之间通信的桥梁，例如处理器中的一级缓存L1 Cashe， 二级缓存L2 Cashe，由于工艺特点，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以缓存一般也都比较小。

DRAMDRAM（动态随机存储器）保存数据靠电容充电来维持，DRAM的应用比SRAM更普遍，电脑里面用的内存条就是DRAM，随着技术的发展DRAM又发展为SDRAM（同步动态随机存储器）DDR SDRAM（双倍速率同步动态随机存储器），SDRAM只在时钟的上升沿表示一个数据，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一个数据。DDR又发展为DDR2,DDR3,DDR4，在此基础上为了适应移动设备低功耗的要求，又发展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，对应DDR技术的发展分别又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。目前手机中运行内存应用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置为3G或4G容量，如果达到6G或以上，就属于高端产品。2 ROMROM(Read Only Memory)在以前就指的是只读存储器，这种存储器只能读取它里面的数据无法向里面写数据。所以这种存储器就是厂家造好了写入数据，后面不能再次修改，常见的应用就是电脑里的BIOS。

后来，随着技术的发展，ROM也可以写数据，但是名字保留了下来。ROM中比较常见的是EPROM和EEPROM。EPROMEPROM(Easerable Programable ROM)是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射IC上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到紫外线照射。EPROM (Easerable Programable ROM)EPROM存储器就可以多次擦除然后多次写入了。但是要在特定环境紫外线下擦除，所以这种存储器也不方便写入。EEPROMEEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，电可擦除ROM，现在使用的比较多，因为只要有电就可擦除数据，再重新写入数据，在使用的时候可频繁地反复编程。

FLASHFLASH ROM也是一种可以反复写入和读取的存储器，也叫闪存，FLASH是EEPROM的变种，与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而FLASH的大部分芯片需要块擦除。和EEPROM相比，FLASH的存储容量更大。FLASH目前应用非常广泛，U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都属于FLASH,SSD固态硬盘也属于FLASH。NOR FLAHS & NAND FLASHFlash又分为Nor Flash和Nand Flash。Intel于1988年首先开发出Nor Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面；随后，1989年，东芝公司发表了Nand Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。Nor Flash与Nand Flash不同，Nor Flash更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而Nand Flash更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一样，而且Nand Flash与Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。

如果闪存只是用来存储少量的代码，这时Nor Flash更适合一些。而Nand Flash则是大量数据存储的理想解决方案。因此，Nor Flash型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，Nand Flash型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如U盘、存储卡都是用Nand Flash型闪存。在Nor Flash上运行代码不需要任何的软件支持，在Nand Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序。目前手机中的机身内存容量都比较大，主流配置已经有32G~128G存储空间，用的通常就是Nand Flash，另外手机的外置扩展存储卡也是Nand Flash。

储器分为两种基本类型：ROM 和 RAM 。

ROM（只读存储器）：在 ROM 中，只读数据是预先记录的，不能被移动。ROM 不易于丢失，也就是，不管计算机处于开机还是关机状态，ROM 始终保留其内部内容。大多数个人计算机的 ROM 较小，主要用于存储一些关键性程序，诸如用来启动计算机的程序。另外，ROM 也用于计算器及外围设备等，如激光打印机，其字体存储于 ROM 中。ROM 还存在一些扩展变量，如可编程只读存储器（PROM），即采用专用 PROM 编程器在空白芯片上写入数据。

RAM（随机存储器）：该存储器中的内容可以以任意顺序存取（读、写和移动）。时序存储器设备正好与其形成对比，如磁带、唱片等，其存储介质的机械运动驱使计算机必须以固定顺序存取数据。RAM 通常负责计算机中主要的存储任务，如数据和程序等动态信息的存储。RAM 的通用格式包括： SRAM（静态 RAM）和 DRAM（动态 RAM）。

RAM IC 通常组装为插槽。常见的标准插槽类型包括：SIMM (Single in-line memory module)插槽和 DIMM (Dual in-line memory module)插槽。

此外，还存在一些诸如闪存（Flash memory）、NVRAM 以及 EEPROM 等存储器类型，它们是结合 RAM 和 ROM 特征所获得的产物。

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