对同一存储位元连续两次刷新，仍能保证鉴别出原存信息的最大允许间隔时间，即在 Trc 内必须对每个单元刷新一遍

一般为 ms 级，亦称为刷新间隔时间

在 Trc 时间内，应刷新存储芯片中的所有存储位

在 DRAM 芯片的主要性能参数中，都给出 Trc。通常为 2ms、4ms、8ms

Trc < Tref

刷新一行存储位元所需时间，通常和 DRAM 读写周期 tRC /tWC 相同

存储芯片所有位元刷新一遍所需的刷新操作周期个数。它与芯片的内部结构有关。即每次可以刷新一行， Nr 决定于存储矩阵的行数

从信息以电荷形式存入电容，到电荷经过一段时间泄漏，读放仍能鉴别出原存信息的时间

也叫 “批刷新”，从刷新周期 Trc 中抽出连续一段长度的访存周期作为刷新操作周期集中进行刷新

缺点：集中式刷新使 98.976% 的时间用于访存，这期间存储器的效能得以充分发挥，但有 1.024% 的时间，即在 8ms 中有 81.92μs 不允许访存，CPU 要处于等待状态，影响了计算机的工作效率

优点：控制逻辑简单，设计容易实现

把集中到一起的不允许访存的刷新时间分散开，每个等分的最后一个访存周期用作刷新操作周期，以完成一行存储位元的刷新，其余时间则用于访存

优点：降低了访存的阻塞时间，提高了计算机的工作效率

缺点：控制逻辑复杂，设计不易实现

设一个系统的访存周期是存储器实际访存周期的两倍，并令系统访存周期的前半周期用于访存，后半周期用于刷新

优点：控制简单、设计容易，不需增加多少器件

缺点：存储器的效能仅利用 50％，仅用于低速系统