p型掺杂剂Cp2Mg在MOCVD气相中的反应机理研究

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p型掺杂剂Cp2Mg在MOCVD气相中的反应机理研究

2024-07-14 13:14| 来源: 网络整理| 查看: 265

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199

作者:

张红,唐留

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摘要:

采用量子化学的密度泛函理论计算,提出并研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)气相过程中p型掺杂剂Cp2Mg的反应机理.特别判断了不同温度下各反应进行的可能性.发现Cp2Mg主要有两条相互竞争的反应路径,加合路径和氢解路径.对于加合路径,在293~573 K的温度范围内,会形成络合物Cp2Mg:NH3或Cp2Mg:(NH3)2.对于氢解路径,气相中的H自由基... 查看全部>>

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关键词:

金属有机化学气相沉积 密度泛函理论 p型掺杂 反应机理 计算化学

DOI:

10.11949/0438-1157.20191354

年份:

2020



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