1.什么是Microled？

        通俗来讲，将作为发光器件LED用作显示屏的像素，固这种LED的尺寸就得做得很小（约＜100μm），这种技术就是Microled；

2.Microled的优点

         相比于已经大规模量产的LCD技术和OLED技术，Microled几乎在各个技术维度上都有着碾压般的性能优势：长寿命，高对比度，可实现高分辨率，响应速度快，更广的视角，丰富的色彩，超高的亮度和更低的功耗。

3.Microled的技术瓶颈

        现阶段 Microled还有许多技术瓶颈有待突破，如芯片制造、巨量转移、检测修复等，这也是目前 Microled出货量低、售价高昂原因；其中巨量转移最难最难的技术痛点。

4.巨量转移概述

5.巨量转移种类

         目前在产业界和学术界，Microled巨量技术有好几种并行技术流派，根据转移过程中的作用力或具体的转移方式，大致可以分为：范德华力派，静电力派，磁力派，激光转印派，流体自组装派和卷对卷转印派

1）范德华力派：巨量转移过程中，在Microled拾取和放置过程中采用了范德华力（即分子间作用力）的这一个技术派别，其核心是采用弹性印章来转移Microled器件，特点如下：

2）静电力派：静电吸附是利用静电转移头产生吸引力或者排斥力实现对microled的拾取和放置(Apple的专利)；在拾取microled阶段，在吸附转移头和芯片上产生不同电荷，将microled吸附拾取；在放置microled阶段，通过调节内外电极电压差，使得电压差为零，将microled放置到接收衬底；键合方式包括共晶合金键合、瞬态液相键合或固态扩散键合，其核心是静电转移头的制作，主要特点如下：

3）磁力派：电磁力吸附转移技术有点类似于静电吸附转移，不同的是，该方法是通过线圈电感产生电磁力的方式，将microled吸附及放下(ITRI的专利)；在拾取microled阶段，主要方式为去除牺牲层，使其处于悬空状态，电可编程磁性模块产生磁力，吸附拾取芯片;在打印microled阶段，电可编程磁性模块通过加热工艺将导电模块与接收器衬底对准并接触，从而将microled与接收衬底键合。最后，断电消除磁力，拾取电可编程磁性模块，其核心在于磁性转移头的制作，主要特点如下：

4）激光转移流派：激光选择性释放是利用材料对激光的不同吸收系数，引起界面的热膨胀，从而引起牺牲层的烧蚀，使microled从原始衬底转移到接收衬底(Sony的专利)，若为GaN外延片，界面处的GaN缓冲层分解成Ga和N2，实现芯片的分离和转移，主要特点如下：

5）流体自组装派：利用刷子的移动来控制流体中microled的运动，最后使它落入接收衬底的井中(eLux的专利)，当V0 ≫ Vcrit，，随着电刷的平移和旋转，电刷周围的流体产生湍流，因此许多microled聚集在该区域中。首先，这些microled被动地向上移动，并由于湍流而高速离开基板表面;接下来，刷子继续移动，驱动这些microled开始在基板表面上向前散射，然后通过流体、振荡、减速，最后以低于Vcrit的速度沉入井中，主要特点如下：

6）卷对卷打印派：利用带有计算机接口的滚轮系统，反馈模块包含两个负载传感器和两个 Z 轴执行器，滚轮系统通过两个显微镜保持精确对准，通过反馈模块精准控制，将Microled转印至接收衬底上，主要特点如下：

6.总结

（1）Microled芯片需要进行多次转移（至少需要从蓝宝石衬底→临时衬底→新衬底），且每次转移芯片量非常大，对转移工艺的稳定性和精确度要求非常高；

（2）对于 R/G/B 全彩显示而言，由于每一种工艺只能生产一种颜色的芯片，故需要将红/ 绿/蓝芯片分别进行转移，需要非常精准的工艺进行芯片的定位，极大的增加了转移的工艺难度。；

（3）Microled的厚度仅为几微米，将其精确地放置在目标衬底上的难度非常高，芯片尺 寸及间距都很小，要将芯片连上电路也是一个挑战。

参考文章：

http://www.china-led.net/news/202004/27/45017.html

Micro LED巨量转移技术分析综述上篇

Micro LED巨量转移技术分析综述中篇

Micro LED巨量转移技术分析综述下篇（激光，流体，卷对卷）