SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM具有较高的性能，功耗较小。SRAM主要用于二级高速缓存。它利用晶体管来存储数据。但是SRAM也有它的缺点，集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存。

SRAM存储原理 SRAM采用双稳态触发器来作存储元件，不存在电容的刷新问题，只要电源正常供电，触发器就能稳定地存储数据，因此称为静态随机存取储存器。其存储单元的每一位都是由双稳触发器和选通门电路组成的;而整个存储器由存储单元组成的阵列和控制电路组成。

SRAM特点 连接使用方便(不需要刷新电路)、工作稳定、存取速度快(约为动态随机存取储存器DRAM的3~5倍)、使用简单; 由于每一位的存储，都用好几个晶体管，因此单片的存储容量不易做得很高，集成度较低且价格较贵;由于价格相对较高，计算机主存用得很少，主要用作高速缓冲存储器(Cache)。

DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。

DRAM存储原理 DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现。若写入位为“1”，则电容被充电:若写入位为“0”，则电容不被充电。读出时用晶体管来读与之相连的电容的电荷状态。若电容被充电