）Flash地址空间的数据读取。stm32f103c8t6只有20KB 内存（RAM）供程序代码和数组变量存放，因此，针对内部Flash的总计64KB存储空间(地址从0x08000000开始），运行一次写入8KB数据，总计复位运行代码4次，将32KB数据写入Flash。并验证写入数据的正确性和读写速率。

①定时器配置 ②配置系统时钟树

③配置引脚 ③配置中断 ④调整堆栈大小为2k 生成文件即可。

① 将flash.c及flash.h文件加入到工程（flash.h文件放在INC文件夹下即可） ② 在main.c中加入代码 添加：#include "flash.h" 添加：

③ 打开变量观察窗口，将变量FlashWBuff 和FlashRBuff加入到 Watch 1 观察窗口：

④ View->Periodic Windows Update开启变量自动更新

⑤ 全速运行程序，可以看到数组FlashRBuff中内容与数组FlashWBuff中内容一样 ⑥ 在Memory 1窗口中可以看到在FLASH地址0x0800C000区成功写入对应内容

不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字节，最大的则达到了 1024K 字节。市面上 STM32F1 开发板使用的芯片是 STM32F103系列，其 FLASH 容量一般为 512K 字节，属于大容量芯片。

①主存储器。该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。

②信息块。该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 BOOT0 接 V3.3， BOOT1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。

③闪存存储器接口寄存器。该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压由内部产生。

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

本次实验为stm32的Flash读写操作，本次实验的预实验对于次实验的分析很有帮助，主要是进行分析sd卡的读写操作，本次实验在以上一个实验基础上进行的，本次实验开始的时候有点迷茫，后来明白了在做什么，参考他人博客做下来就很简单了。

【1】https://blog.csdn.net/zhanglifu3601881/article/details/96632971 【2】https://blog.csdn.net/weixin_45970808/article/details/122118902 【3】https://blog.csdn.net/qq_46467126/article/details/122098829