薄膜的参数

器件层必须满足一般参数和特殊参数的要求。特殊参数将在相关的个别层中给予注释。在半导体中薄膜需要满足的一般标准包括：

·厚度/均匀性

·表面平整度/粗糙度

·组成／核粒(grain)尺寸

·无应力

·纯净度

·完整性

薄膜需要具有均匀的厚度以同时满足电性能和机械性能的要求。淀积的薄膜必须是连续的，并且没有针孔，以阻止杂质的进人和防止层间短路。外延膜的厚度已经从5微米级缩小到亚微米级，由此想到，导体层的厚度成为阻抗来源的因素之一。此外，比较薄的层容易含有较多的针孔和比较弱的槭强度。其中，备受关注的是台阶部位的厚度维护（参见下图）。过薄的台阶部位的厚度可能导致器件中的电子短路和／或者引人并不需要的电荷。该问题在窄而深的孔和沟处显得尤为突出。我们称这种情形为高深宽比模式。深宽比为深度除以宽度（参见下图〕。问题之一是淀积的薄膜在沟槽的边缘变簿；其二是在沟槽的底部变薄。在多层金属的结构中，高深宽比的沟槽的填充是一个主要问题。

薄膜表面的平整性如同厚度一样重要。前面已详尽述了台阶和表面的粗糙度对图像形成的影响。淀积的薄膜必须平整、光滑，并且淀积的方法允许形成最小的台阶、裂隙和表面反射。

淀积的薄膜必须具有所要求的均匀成分。许多反应是复杂的，且有可能淀积的薄膜含有与所要求的成分不同。化学计量学（Stoichiometry）提供了对化学反应中的反应物和形成物的定量计算的方法。除化学的成分外，核粒(grain)尺寸具有同样的重要性。在淀积过程中，薄膜材料趋向于集或成核。在相同的成分和厚度的薄膜中，核粒尺寸上的变化也会产生电性能及机械性能上的差异，其原因在于流经核粒表面的电流会受到影响。机械特性也随着核粒界面的大小而改变。

无应力是对淀积的薄膜的另一种特性上的要求。淀积时附加额外应力的薄膜将通过裂隙的形成面释放此应力。裂隙的薄膜使薄膜的表面变粗，而且杂质也会渗透到晶内。严重时将导致短路。纯净度，即在薄膜中不含有不需要的化学元素或分子，以保证薄膜执行预定的功能。例如，外延层中含有氧的杂质将改变其电性能。纯度也包括可动离子沾污和微粒之外的其他物质。电容是淀积薄膜的另外一个重要参数（参见前面)。半导体中的金属传导层需要高传导、低电阻和低电容的材料，也称之为低值绝缘介质。传导层之间使用的绝缘介质层需要高电容或高值的绝缘介质。返回搜狐，查看更多